[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

阴极电极；

第一导电型的半导体基板，与所述阴极电极电连接，并且具有第一杂质浓度；

第一导电型的半导体层，形成于所述半导体基板上，并且具有比所述第一杂质浓度小的第二杂质浓度；

多个第一沟槽，以从所述半导体层的上表面向下方延伸的方式形成于所述半导体层中；

绝缘层，沿所述第一沟槽的内壁形成；

导电层，以隔着所述绝缘层埋入所述第一沟槽的方式形成，并且从所述半导体层的上表面向下方延伸到第一位置；

第一半导体扩散层，从位于所述多个第一沟槽之间的所述半导体层的上表面起而到达第二位置，并且具有比所述第二杂质浓度小的第三杂质浓度；以及

阳极电极，形成于所述第一半导体扩散层及所述导电层的上表面，并且与所述第一半导体扩散层进行了肖特基接合，

从所述半导体层的上表面到所述第二位置的长度为从所述半导体层的上表面到所述第一位置的长度的1/2以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备设于所述绝缘层和所述第一半导体扩散层之间的第二导电型的第二半导体扩散层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘层由硼硅酸盐玻璃构成。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二半导体扩散层设于所述绝缘层和所述半导体层之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备：

第二沟槽，以从所述半导体层的上表面向下方延伸的方式形成于所述半导体层中；

栅极绝缘膜，形成于所述第二沟槽的内壁；以及

MOSFET的栅极电极，隔着所述栅极绝缘膜埋入所述第二沟槽。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阴极电极含有钛、镍、及金。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阳极电极含有钒及铝。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：

阴极电极；

第一导电型的半导体基板，与所述阴极电极电连接，并且具有第一杂质浓度；

第一导电型的半导体层，形成于所述半导体基板上，具有比所述第一杂质浓度小的第二杂质浓度；

多个第一沟槽，以从所述半导体层的上表面向下方延伸的方式形成于所述半导体层中；

第一绝缘层，在第一位置的下层，沿所述第一沟槽的内壁形成；

第一导电层，在所述第一位置的下层，以隔着所述第一绝缘层埋入所述第一沟槽的方式形成，并且从所述第一位置向下方延伸到第二位置；

第二绝缘层，在所述第一位置的上层，沿所述第一沟槽的内壁形成；

第二导电层，在所述第一位置的上层，以隔着所述第二绝缘层埋入所述第一沟槽的方式形成，并且从所述半导体层的上表面到达所述第一位置；

第一半导体扩散层，从位于所述多个第一沟槽之间的所述半导体层的上表面起而到达第三位置，并且具有比所述第二杂质浓度小的第三杂质浓度；以及

阳极电极，形成于所述第一半导体扩散层及所述第二导电层的上表面，并且与所述第一半导体扩散层进行了肖特基接合，

所述第一导电层与所述阳极电极电连接，

从所述半导体层的上表面到所述第三位置的长度为从所述半导体层的上表面到所述第二位置的长度的1/2以下。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

还具备设于所述第二绝缘层和所述第一半导体扩散层之间的第二导电型的第二半导体扩散层。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟槽的上端的直径比所述第一沟槽的下端的直径大。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电层具有：

锥部，形成为直径从上端向下端变细的锥状；以及

柱状部，从所述锥部的下端向下方延伸，并且形成为从上端到下端具有相同直径的柱状。