[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

反熔丝，所述反熔丝包含栅极绝缘膜、栅电极和第一扩散层；

第二扩散层，所述第二扩散层与所述第一扩散层的导电类型相同，并且借助于器件隔离膜与所述第一扩散层隔离；

栅极布线，所述栅极布线与所述栅电极集成为一体并且在所述器件隔离膜上延伸；和

公共接触，所述公共接触将所述栅极布线耦合到所述第二扩散层，

其中所述栅电极由被注入有与所述第一扩散层相同的导电类型的杂质的半导体构成，并且所述第二扩散层仅耦合到所述公共接触。

2.根据权利要求1的半导体器件，包括：

多个反熔丝；和

控制晶体管，所述控制晶体管安装在所述反熔丝的每一个中以控制所述反熔丝中的写入，

其中所述第二扩散层、所述栅极布线和所述公共接触分别安装在所述反熔丝的每一个中。

3.根据权利要求2的半导体器件，包括：

包含所述反熔丝的反熔丝形成区域，

其中仅所述反熔丝、所述第二扩散层、所述栅极布线和所述公共接触形成在衬底中的所述反熔丝形成区域中，并且

其中多个控制晶体管形成在控制晶体管形成区域中，所述控制晶体管形成区域是与所述反熔丝形成区域分离的区域。

4.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述器件隔离膜使包含所述第二扩散层的第二扩散层形成区域与其它器件隔离，并且包含形成在所述第二扩散层形成区域上的虚设栅极绝缘膜，并且

其中在形成为通过所述器件隔离膜之后，所述栅极布线在所述第二扩散层形成区域上的位置处、借助于所述虚设栅极绝缘膜在衬底上延伸。

5.根据权利要求4的半导体器件，

其中，所述虚设栅极绝缘膜比所述栅极绝缘膜厚。

6.根据权利要求5的半导体器件，包括控制所述反熔丝中的写入的控制晶体管，

其中所述虚设栅极绝缘膜与所述控制晶体管的栅极绝缘膜的膜厚度相同。

7.根据权利要求4的半导体器件，

其中所述栅极布线由半导体形成，而且至少定位在所述虚设栅极绝缘膜上的部分的导电类型与所述第二扩散层的导电类型相反。

8.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述器件隔离膜使包含所述第二扩散层的第二扩散层形成区域与其它器件隔离，

其中从平面视图看时，所述器件隔离膜定位在所述栅极布线和所述第二扩散层之间，并且

其中所述公共接触与所述栅极布线、所述器件隔离膜和所述第二扩散层接触。

9.根据权利要求8的半导体器件，包括：

蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜形成在所述器件隔离膜、所述第二扩散层和所述栅极布线上；和

层间电介质膜，所述层间电介质膜形成在所述蚀刻停止膜上，

其中所述公共接触穿过所述层间电介质膜和所述蚀刻停止膜。