[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法，半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110300726.3 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315155A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 半导体 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽；其特征在于，还包括：
覆盖所述凹槽表面的绝缘介质层；
位于所述绝缘介质层表面的导电层，所述导电层填充满所述凹槽，所述导电层电连接低电位。
2.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述绝缘介质层的材料是二氧化硅。
3.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述绝缘介质层包括依次形成的二氧化硅层、氮化硅层和二氧化硅层。
4.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述绝缘介质层的宽度不小于5nm。
5.依据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述导电层的材料是多晶硅。
6.一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽；
形成覆盖所述凹槽表面的绝缘介质层；
在所述绝缘介质层表面形成导电层，所述导电层填充满所述凹槽；
电连接所述导电层与低电位。
7.依据权利要求6所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述绝缘介质层的宽度不小于5nm。
8.一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有凹槽，以及位于所述凹槽两侧器件区的器件，所述器件包括NMOS晶体管；其特征在于，还包括：
覆盖所述凹槽表面的绝缘介质层；
位于所述绝缘介质层表面的导电层，所述导电层填充满所述凹槽，所述导电层与低电位电连接。
9.依据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘介质层的材料是二氧化硅。
10.依据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘介质层包括依次形成的二氧化硅层、氮化硅层和二氧化硅层。
11.依据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘介质层的宽度不小于5nm。
12.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽，以及位于所述凹槽两侧的器件区；
形成覆盖所述凹槽表面的绝缘介质层；
在所述绝缘介质层表面形成导电层，所述导电层填充满所述凹槽；
电连接所述导电层与低电位；
在所述器件区形成器件，所述器件包括NMOS晶体管。
13.依据权利要求12的半导体结构形成方法，其特征在于，所述绝缘介质层的宽度不小于5nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110300726.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种化铜恒温过滤辅助箱
- 下一篇：数据传输方法及装置、数据处理方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
