[发明专利]金属氧化物半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一导电型的一阱(well)，该阱形成于一衬底中；

一栅极电极，形成于该阱之上；

一第一注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第一注入区具有该第一导电型；

一第二注入区，形成于该阱中且自该栅极电极下方延伸，该第二注入区具有一第二导电型，该第二注入区透过该栅极电极下的一通道区与该第一注入区分离；

一源极扩散区，形成于该第一注入区中，该源极扩散区具有该第二导电型；以及

一漏极扩散区，形成于该第二注入区中，该漏极扩散区具有该第二导电型，且相较于该第二注入区具有一较高的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，更包括一第三注入区，该第三注入区介于该源极扩散区与该第一注入区之间。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其中该第三注入区具有与该源极扩散区相同的该第二导电型。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中该第三注入区相较于该源极扩散区具有一较低的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，更包括一第四注入区，该第四注入区介于该漏极扩散区与该第二注入区之间。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其中该第四注入区具有与该漏极扩散区相同的该第二导电型。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中该第四注入区相较于该源极扩散区具有一较低的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中该第四注入区相较于该第二注入区具有一较高的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的半导体元件，其中该第二注入区相较于该漏极扩散区具有一较低的掺杂浓度。

10.一种制造半导体元件的方法，包括：

形成一第一导电型的一阱于一衬底中；

形成一栅极电极于该阱之上；

形成一第一注入区于该阱中，该第一注入区自该栅极电极下方延伸，该第一注入区具有该第一导电型；

形成一第二注入区于该阱中，该第二注入区自该栅极电极下方延伸，该第二注入区具有一第二导电型，且该第二注入区透过该栅极电极下方的一通道区与该第一注入区分离；

形成一源极扩散区于该第一注入区中，该源极扩散区具有该第二导电型；以及

形成一漏极扩散区于该第二注入区中，该漏极扩散区具有该第二导电型，且相较于该第二注入区具有一较高的掺杂浓度。