[发明专利]一种提高分辨率的光刻工艺

权利要求书

1.一种提高分辨率的光刻工艺，包括：

于一基底表面设置硬掩模层（hard mask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；

在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；

垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；

去除所述光刻胶；以及

垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。

2.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述第二表面包括一个楔形面。

3.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述第二表面包括多个楔形面。

4.根据权利要求3所述的光刻工艺，其特征在于，所述多个楔形面按相同楔形方向排列。

5.根据权利要求3所述的光刻工艺，其特征在于，所述多个楔形中相邻楔形面的楔形方向不同。

6.如权利要求1所述的光刻工艺，还包括从所述基底表面移除所述硬掩模层。

7.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，所述楔形面的楔形角为45°。

8.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光、显影、蚀刻制程形成所述图形。

9.根据权利要求8所述的光刻工艺，其特征在于，对所述光刻胶进行曝光前，光刻机中的调焦调平系统在与所述光刻胶平面垂直方向上进行调焦调平，所述光刻机中的对准系统在与所述基底表面垂直方向上进行对准。

10.根据权利要求8所述的光刻工艺，其特征在于，光刻机中的曝光系统在与所述光刻胶表面垂直方向上对所述光刻胶进行曝光。

11.根据权利要求1所述的光刻工艺，其特征在于，                                                ，其中R为分辨率，为光源波长，NA为投影物镜的通光数值孔径，为工艺因子，α为所述楔形面的楔形角的大小。