[发明专利]一种TFT阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)和AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器，都需要TFT阵列基板进行显示驱动。

其中，TFT阵列基板包括：数据线、栅线，并且在数据线和栅线限定的像素单元中形成有薄膜晶体管和像素电极；其中薄膜晶体管的源极与数据线相连，栅极与栅线相连，漏极与像素电极相连。如图1所示，现有技术中TFT阵列基板10中的薄膜晶体管包括：栅极11、栅绝缘层12、有源层13、欧姆接触层14以及源极15、漏极16。其中，该薄膜晶体管的漏极通过钝化层17上的过孔与像素电极18相连。

TFT阵列基板中的薄膜晶体管作为开关元件，载流子迁移率是薄膜晶体管特性的重要技术指标之一，用以评判薄膜晶体管的性能。而薄膜晶体管的有源层13作为载流子的通道，能够影响载流子的迁移率大小。但现有技术中，薄膜晶体管的有源层13由a-Si(amorphous silicon，非晶硅)制成，由于a-Si的表面缺陷和非晶体排列使得a-Si具有较低的载流子迁移率，目前a-Si的载流子迁移率一直在1cm²/Vs以下，造成TFT的导通电流较低，这样就降低了薄膜晶体管的开关特性。

发明内容

本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及显示装置，用以提高薄膜晶体管的开关特性。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面提供一种TFT阵列基板，包括：数据线和栅线，以及在所述数据线和栅线限定的像素单元中形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源极、漏极；所述有源层为超晶格结构，该超晶格结构包括预定数目的层叠的层组，所述层组包括半导体单层和非半导体单层。

另一方面提供一种显示装置，包括：上述TFT阵列基板。

本发明实施例提供一种TFT阵列基板及显示装置，有源层为超晶格结构，该超晶格结构包括预定数目的层叠的层组，所述层组包括半导体单层和非半导体单层，在这种结构下，载流子于层间发生耦合，使得半导体单层内的载流子迁移率提高，TFT的导通电流得以增加，从而提高了薄膜晶体管的开关特性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中TFT阵列基板的示意图；

图2为本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的示意图；

图3为图2所示的TFT阵列基板上有源层的超晶格结构的放大截面图。

附图标记：

11-栅极；12-栅绝缘层；13-有源层；14-欧姆接触层；15-源极；16-漏极；17-钝化层；18-像素电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图2所示，本发明实施例提供一种TFT阵列基板20，包括：数据线和栅线，以及在所述数据线和栅线限定的像素单元中形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极11、栅绝缘层12、有源层13、欧姆接触层14以及源极15、漏极16；所述有源层13为超晶格结构，该超晶格结构包括预定数目的层叠的层组，参考图3，所述层组包括半导体单层31和非半导体单层32。

该超晶格结构包括预定数目的层叠的层组，参考图3可以更好地理解层组间的层叠关系，其中，半导体单层31与非半导体单层32基本上相互平行。

进一步的，所述预定数目至少为10。进一步的，所述预定数目的范围为10～50。所述预定数目可以是综合考虑薄膜晶体管的开关特性以及生产成本等因素而预先设定的合理数目。当所述预定数目的范围为10～50时，可以在生产成本合适的情况下，获得较优的薄膜晶体管开关特性。