[发明专利]一种TFT阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括：数据线和栅线，以及在所述数据线和栅线限定的像素单元中形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源极、漏极；其特征在于，所述有源层为超晶格结构，该超晶格结构包括预定数目的层叠的层组，所述层组包括半导体单层和非半导体单层。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体单层与所述非半导体单层的晶格常数匹配。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述超晶格结构的最上层为半导体单层，或者非半导体单层。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述预定数目至少为10。

5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述预定数目的范围为10～50。

6.根据权利要求1～5任一项权利要求所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体单层的厚度与所述非半导体单层的厚度均小于等于10nm。

7.根据权利要求1～5任一项权利要求所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体单层为第IV族半导体或第III-V族半导体或II-VI族半导体构成的半导体单层，所述非半导体单层为氧或氮或氟或碳-氧构成的非半导体单层。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体单层为非晶硅单层或者IGZO单层，所述非半导体单层为氧化铝单层、氮化铝单层、氧化硅单层或者氮化硅单层。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1～8任一项权利要求所述的TFT阵列基板。