[发明专利]缺陷检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种对衬底的缺陷检测方法。

背景技术

随着超大规模集成电路ULSI(Ultra Large Scale Integration)的飞速发展，集成电路工艺制作工艺变得越来越复杂和精细，这就要求以更高的精度和更好的均匀性形成半导体器件，而在实际集成电路生产过程，由于工艺和设备等不同因素的影响，往往在衬底表面会形成不可预期的缺陷，例如：颗粒缺陷，最终导致产品良率的降低，因此，在集成电路生产中半导体衬底的缺陷检测也变得至关重要。

图1为现有技术缺陷检测方法的流程示意图，包括步骤：S101，提供阈值；S102，获得单元片上一个区域的待检像素和相邻单元片上一个区域参考像素；S103，根据单元片上一个区域的待检像素的灰度值和相邻单元片上一个区域参考像素的灰度值，获得整个单元片的待检值和相邻单元片的参考值，并获得所述待检值和参考值的之间差值，所述差值为绝对值；S104，比较所述差值与阈值的大小，当差值大于阈值时，判定有缺陷的存在。灰度值表示像素的技术为公知的技术在此不再详述。所述整个单元片的待检值为所述单元片上一个区域的待检像素的灰度值的加权平均值。

更多关于缺陷检测的方法请参考专利号为US5995218A的美国专利。

现有技术中所述单元片的待检值为根据单元片上一个区域的灰度值获得，虽然能提高扫描速率，但是待检值不能准确反映单元片的实际形貌特征，缺陷扫描时，极易造成缺陷的不正确检测，降低了缺陷扫描的准确性和效率。

发明内容

本发明解决的问题是提供了一种缺陷检测方法，提高了缺陷检测的正确率和效率。

为解决上述问题，本发明提供了一种缺陷检测方法，包括步骤：

提供母本衬底一目标单元片上多个区域的区域母本阈值；

提供待检衬底，选定所述待检衬底上一待检单元片和相邻单元片；

将所述待检单元片和相邻单元片划分为多个区域，并获取所述待检单元片上每个区域的区域待检像素和相邻单元片上的每个区域的区域参考像素；

根据所述区域待检像素和区域参考像素，计算待检单元片和相邻单元片上每个区域的区域待检值和区域参考值，获得所述区域待检值和区域参考值的之间的差值并以之作为区域差值，所述区域差值为绝对值；比较所述区域差值与区域母本阈值的大小，当所述区域差值大于区域母本阈值时，判定有缺陷的存在。

可选的，所述母本衬底和待检衬底上有多个具有相同构图的单元片。

可选的，所述待检衬底上待检单元片的区域待检值为：区域待检像素的灰度值、区域待检像素的最大灰度值和最小灰度值的差值、区域待检像素灰度值的平均值或区域待检像素灰度值的方差值。

可选的，所述待检衬底上相邻单元片的区域参考值为：区域参考像素的灰度值、区域参考像素的最大灰度值和最小灰度值的差值、区域参考像素灰度值的平均值或区域参考像素灰度值的方差值。

可选的，所述相邻单元片的数量等于或大于1。

可选的，所述区域母本阈值的获得方法为：提供母本衬底；选定所述母本衬底上一目标单元片和相邻单元片；将所述目标单元片和相邻单元片划分为数量和位置相同的N个区域，获得所述目标单元片第1～N个区域的区域母本已检像素和相邻单元片上相应第1～N个区域的区域参考像素；根据所述区域母本已检像素和区域参考像素的灰度值，计算所述目标单元片第1～N个区域的区域母本已检值和相邻单元片相应第1～N个区域的区域参考值；获得所述目标单元片上第1～N个区域的区域母本已检值和相邻单元片上对应第1～N个区域的区域参考值的之间差值，以所述差值作为区域母本阈值，所述区域母本阈值为绝对值。

可选的，所述第N区域的区域母本已检值为第1～N-1个区域的区域母本已检值的加权平均值。

可选的，所述第N区域的参考值为第1～N-1个区域的参考值的加权平均值。

可选的，所述母本衬底目标单元片上区域的划分为用户通过人机界面单元实现。

可选的，所述母本衬底目标单元片和相邻单元片上区域的划分数量N等于或大于3。

可选的，还包括，存储所述区域母本已检值、区域母本阈值和母本衬底上目标单元片的区域划分线位置信息。

可选的，所述母本衬底上目标单元片的区域母本已检值为：区域母本已检像素的灰度值、区域母本已检像素的最大灰度值和最小灰度值的差值、区域母本已检像素灰度值的平均值或区域母本已检像素灰度值的方差值。