[发明专利]集成SiC衬底和金刚石膜散热的LED无效
| 申请号： | 201110295677.9 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102339917A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 朱纪军;洪思忠;宋召海;左敦稳;邓文凤;于航;朱琳 | 申请（专利权）人： | 滨州市甘德电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/64 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 瞿网兰 |
| 地址： | 256600 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 sic 衬底 金刚石 散热 led | ||
【权利要求书】：
1.一种集成SiC基体和金刚石膜散热的LED，它包括PCB板（7），其特征是所述的PCB板（7）的发热面与金刚石衬底（6）的底面相接触，金刚石衬底（6）的上底面通过倒装焊层（3）与有源层（2）相连，有源层（2）生长在SiC外延衬底（1）上；控制有源层（2）电流的P型电极（4）和N型电极（8）安装在金刚石衬底（6）上并通过对应的电极线（5，9）与PCB板（7）相连，PCB板（7）受控于温度传感器（10）实现电流的调节，从而控制有源层（2）的发光量，使之工作在最佳温度范围内。
2.根据权利要求1所述的LED，其特征是所述的金刚石衬底（6）为导电掺杂金刚石。
3.根据权利要求1或2所述的LED，其特征是所述的金刚石衬底（6）为热丝CVD沉积法制备而成的金刚石衬底。
4.根据权利要求1所述的LED，其特征是所述的金刚石衬底（6）与PCB板（7）相接触的一面上设有能提高散热面积的微细结构。
5.根据权利要求4所述的LED，其特征是所述的微细结构为连续的凹凸结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滨州市甘德电子科技有限公司，未经滨州市甘德电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110295677.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
