[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

嵌于绝缘材料中的第一相变材料岛；以及

与所述第一相变材料岛横向地接触的第一电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在该第一电极与所述第一相变材料岛的接触面处，所述第一电极的宽度(b)小于所述第一相变材料岛在该宽度方向上的尺寸(c)。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在该第一电极与所述第一相变材料岛接触面处，所述第一电极的厚度(a)小于所述第一电极的宽度(b)。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括：

与所述第一电极电连接的第一通孔，所述第一通孔包括衬垫和金属塞。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和与该第一电极连接的第一通孔的衬垫一起由相同材料的连续的层形成。

6.如权利要求1-5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极由钛的氮化物、钽的氮化物、或钛形成。

7.如权利要求1-5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极是扁平的条形导电体。

8.如权利要求1-5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述第一相变材料岛接触的第二电极。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括：

与所述第二电极电连接的第二通孔。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极与所述第一相变材料岛横向地接触。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极由钛的氮化物、钽的氮化物、或钛形成。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一电极和第二电极与所述第一相变材料岛接触面处，所述第二电极的宽度(b)小于所述第一相变材料岛在该宽度方向上的尺寸(c)。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二电极与所述第一相变材料岛接触面处，所述第二电极的厚度(a)小于所述第二电极的宽度(b)。

14.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极是扁平的条形导电体.

15.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极以及与所述第一电极连接的第一通孔的衬垫一起由相同材料的连续的层形成。

16.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极接触并覆盖所述第一相变材料岛的上表面。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体器件还包括与所述第二电极电连接的第二通孔，所述第二通孔位于所述第二电极上。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二电极延伸超出所述第一相变材料岛的上表面的边缘，并且

所述第二通孔位于所述第二电极的延伸超出所述第一相变材料岛的上表面的边缘的部分上。

19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述第二通孔和与所述第一电极电连接的第一通孔在纵向上基本对准。

20.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括：

嵌于绝缘材料中的第二相变材料岛；以及

与所述第二相变材料岛接触的第三电极和第四电极；

其中，所述第三电极横向地与所述第二相变材料岛的侧面接触；并且

其中，所述第三电极与所述第一电极电连接，而所述第四电极不与所述第二电极连接。