[发明专利]吸附台

说明书

技术领域

本发明涉及一种借由真空吸附而将玻璃基板、硅晶圆、化合物半导体、陶瓷等平板状的基板固定的吸附台，特别是涉及一种吸附面由多孔质材料形成的吸附台。

背景技术

借由真空吸附而将基板固定的吸附台是利用于各种领域的基板加工装置中。例如，在大型的玻璃基板或半导体基板(所谓的母基板)上对多个电子零件进行图案形成，并将其按各个电子零件分断的基板加工装置中，借由使用刀轮等的机械刻划或使用激光光束的激光刻划，而进行在基板上形成划线的加工。此时，为在所需位置上形成划线，而对基板进行定位并利用吸附台将基板固定。

在用于基板加工装置的吸附台，已知有在金属板形成多个吸附用的贯通孔并将其作为吸附面的类型的吸附台、及将陶瓷等多孔质板作为吸附面的类型的吸附台(参照专利文献1)。

图5是表示在金属板形成多个吸附用的贯通孔的类型的吸附台的一例的剖面图。吸附台50具备于上面51a(成为吸附面的载台表面)载置基板的金属制的载台51，与在其周缘支承载台51的底座52。载台51在载置有基板的区域中，呈格子状形成多个贯通孔53。于紧邻载台51的下方，形成中空空间54，将载台51的背面51b设为面向中空空间54。而且，各贯通孔53贯通至中空空间54。

底座52的中心安装有插塞55，插塞55中形成通至中空空间54的流路55a。插塞55进而经由外部流路56连接于真空泵57、气源58，借由阀59、60的开闭而可将中空空间54设为减压状态，或者使其返回至大气压状态。

吸附台50中，借由将基板G载置于载台51上而阻塞所有贯通孔53时发挥较强的吸附力，可稳定地固定基板G。例如，利用真空泵57排气时若所有贯通孔53均被基板阻塞，利用设置于插塞55附近的压力感测器61进行监测，中空空间54的压力减压至-60KPa左右的压力，若除去基板而开放所有贯通孔53则中空空间54成为-5KPa左右的压力。因此，只要以阻塞所有贯通孔53的方式载置基板，则上述2个状态之间的压力差(差压约55KPa左右)成为经由各贯通孔53而发挥吸附力。再者，若基板的位置偏移即便1个贯通孔53成为未阻塞的状态，则自该处产生较大的泄漏，吸附力一下子变弱。

另一方面，图6是吸附面使用陶瓷制的多孔质板的类型的吸附台的一例的剖面图。

在吸附台70中，使用由多孔质板所构成的载台71代替图5中的金属制载台51。多孔质板中含有多个细细孔，且在上面71a与下面71b之间具有透气性。再者，除载台71以外的各部分是与图5相同的构成，故标注相同符号并省略部分说明。

在吸附台70中，若使真空泵57运转则中空空间54变成减压状态，经由多孔质板整个面的细细孔而产生泄漏，成为可在载台71的大致整个面吸附。因此，不论将基板G载置于载台71的上面71a的何处均吸附。然而，在多孔质板中通过细细孔的气体的流动的阻力较大，故无法期望较大的吸附力。

例如，利用真空泵57排气时若上面71a的全体(即吸附面全体)完全被基板G阻塞，虽然中空空间54以压力感测器61而减压至-60KPa左右的压力为止，但在除去基板G而开放上面71a全体的情形时，细细孔的泄漏量较小，变成-55KPa左右的减压状态。即，多孔质板71是将较小的压力差(差压5KPa左右)用作吸附力。

[先前技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2000-332087号公报

发明内容

[发明所欲解决的技术问题]

如上述般，前者的金属制的吸附台50具有能获得较强的吸附力，相反地若一部分的贯通孔53未阻塞则吸附力急遽变弱的性质。另一方面，后者的多孔质板的吸附台70虽无法获得如前者的经由贯通孔53所得的较强吸附力，但因可在载台71与基板G接触的整个面进行吸附，故吸附力与基板面积成比例地变大。因此，只要成为某种程度的大小的基板面积，则可在载台71上的任意位置固定基板。因此，两者的吸附台是活用各自的特征，对应用途而分别使用。

然而，在使用吸附台的情形时，存在必须确认吸附力是否足够充分的情形。例如，于在母基板上形成划线的基板加工装置中，是在基板定位后利用吸附台将其固定。固定后必须确认是否可利用阈值以上的吸附力(将阈值称为基板保持力)吸附，以便使基板位置不偏移。