[发明专利]吸附台有效
| 申请号： | 201110290659.1 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102446800A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 冈岛康智 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B23Q3/08 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府吹田*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸附 | ||
【权利要求书】：
1.一种吸附台，其特征在于具备：
台本体，其是由以多孔质板形成且载置基板的载台、与支承该载台的周缘部分的底座构成，且以内部形成中空空间并且该载台的背面面向该中空空间的方式构成；
真空排气机构，其对该中空空间进行减压；及
压力感测器，其检测该中空空间的压力；
在该载台上载置基板的位置，形成贯通多孔质板并到达中空空间的细孔。
2.如权利要求1所述的吸附台，其特征在于其中，该细孔的数为1个。
3.如权利要求2所述的吸附台，其特征在于其中，该细孔的孔径为0.5mm～1mm。
4.如权利要求2所述的吸附台，其特征在于其中，附设有诱导载置于该载台的基板以阻塞该细孔的位置的定位机构。
5.如权利要求2所述的吸附台，其特征在于其中，在该载台的中央形成该细孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
