[发明专利]倒装式LED

说明书

技术领域

本发明涉及LED技术领域，具体的说，是涉及一种倒装式LED，本发明的倒装式LED发光效率高，正面中心部分的发光强度极高。

背景技术

正装芯片技术是传统的微电子封装技术，其技术成熟，应用范围最为广泛，目前市场上绝大多数LED均为正装式LED，LED裸芯片正装在一个带有反射杯的支架上，其P型外延层、N型外延层分别通过金属线焊接在阳极和阴极的引线上，这种正装LED可反射侧面的光使其从正面射出，但是正面发出的光会被金属焊线遮蔽，且散热性差，同时，正装LED较难实现多芯片集成。

因此，近年来出现了较为先进的倒装芯片技术，这是一种理想的芯片粘接技术，现有技术中的倒装式LED基本上均为平面结构，这种结构的倒装式LED存在这这样的缺点，即倒装的LED的PN结在正面、侧面、底面上均会发光，但是由于侧面及底面发出的光被散射出去，因而没有被充分利用，造成LED的发光效率较低，似的正面出光的强度降低。

基于上述现有技术的缺陷，出现了新型的倒装芯片技术，即将平面结构改为带凹槽的结构，凹槽的界面设计为梯形结构，这样，LED的PN结在侧面、底面上的光均能得到有效的反射。但是，这样的结构虽然大大提高了LED得发光效率，正面发光强度也得到了提高，由于梯形的凹槽结构，使得侧面光被反射后，从正面散射出去，因此，在很多场合均不能满足需要。

因此，为了克服现有技术的不足，适应现实的需要，有必要设计一种新型的发光效率高、正面中心部分的发光强度较之现有技术有较大提升的倒装式LED，。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，适应现实的需要，提供一种倒装式LED，本发明的倒装式LED发光效率高，正面中心部分的发光强度极高。

为了实现本发明的目的，本发明采用的技术方案为：

一种倒装式LED，包括由衬底、N型外延层、P型外延层组成的LED裸芯片，还包括硅衬底，所述N型外延层、P型外延层分别通过两个金属焊脚倒装焊接在两个分离的电极金属层上，所述电极金属层的外表面为反光面，所述硅衬底的上表面中部向下凹陷，所述电极金属层覆盖于所述硅衬底凹陷部的底面和四周，所述电极金属层与硅衬底之间设有将电极金属层与硅衬底隔离的隔离层，所述硅衬底凹陷部的底部为水平面，凹陷部的四周为球面，所述LED裸芯片衬底的最高点低于所述硅衬底凹陷部的最高点。

所述电极金属层外部覆盖有保护层。

所述两个分离的电极金属层之间设有防短路隔离层。

所述硅衬底的凹陷部中设有填充树脂。

本发明的有益效果在于：

1.凹陷部的四周采用球面结构，使得LED的PN结在正面、侧面、底面上发出的光都被集中到正面的中心，侧面、底面上发出的光得到了有效的利用，并且正面中心部分的发光强度极高；

2.工艺简单、结构简单，容易实现多芯片集成。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

实施例：参见图1。

一种倒装式LED，包括由衬底11、N型外延层12、P型外延层13组成的LED裸芯片，还包括硅衬底2，所述N型外延层12、P型外延层13分别通过两个金属焊脚31、32倒装焊接在两个分离的电极金属层41、42上，所述电极金属层41、42的外表面为反光面，所述硅衬底2的上表面中部向下凹陷，所述电极金属层41、42覆盖于所述硅衬底2凹陷部的底面和四周，所述电极金属层41、42与硅衬底2之间设有将电极金属层41、42与硅衬底2隔离的隔离层51、52，所述硅衬底2凹陷部的底部为水平面，凹陷部的四周为球面，所述LED裸芯片衬底11的最高点低于所述硅衬底2凹陷部的最高点。隔离层51、52用于隔离两个电极金属层与硅衬底，防止两个电极金属层之间漏电或者短路，同时可起到静电保护作用。

电极金属层41、42作为电极使用，同时作为侧面和底面的反光面使用。

所述电极金属层41、42外部覆盖有保护层7，同样是为了防止两个电极金属层之间漏电或者短路。

所述两个分离的电极金属层41、42之间设有防短路隔离层6，目的及作用同上，在于防止电极金属层41、42之间出现漏电或者短路。

所述硅衬底2的凹陷部中设有填充树脂。

本发明使得LED的PN结在正面、侧面、底面上发出的光都被集中到正面的中心，侧面、底面上发出的光得到了有效的利用，并且正面中心部分的发光强度极高；工艺简单、结构简单，容易实现多芯片集成。