[发明专利]阵列基板及其制作方法无效

申请号：	201110288858.9	申请日：	2011-09-26
公开（公告）号：	CN102629576A	公开（公告）日：	2012-08-08
发明（设计）人：	宁策	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司 11002	代理人：	韩国胜;王莹
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	阵列及其制作方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

21世纪在显示领域是平板显示的时代。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有体积小、功耗低以及无辐射等特点，在当前的平板显示器领域占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板及其制造工艺决定了产品性能、成品率和价格。为了有效地降低TFT-LCD的生产成本、提高成品率，TFT-LCD阵列基板的制造工艺逐步进行简化，从开始的七次掩模(7Mask)工艺已经发展到基于狭缝光刻技术的四次掩模(4Mask)工艺。

如图1所示，现有技术中采用四次掩模工艺进行阵列基板的制作主要包括以下步骤：步骤S11、在基板上形成栅电极和栅线；步骤S12、在栅电极和栅线上沉积绝缘层；步骤S13、在绝缘层上沉积有源层；步骤S14、在有源层上沉积源漏电极层；步骤S15、在源漏电极层上沉积PVX保护层，并在保护层上形成过孔；步骤S16、最后在保护层上形成ITO导电层。其中栅电极的形成、源漏电极层、过孔和氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)导电层的形成均需要掩模工艺，因此现有技术中阵列基板的制作共需要四次掩模工艺。步骤S11利用一次掩模工艺形成栅电极和栅线使得后面的工艺复杂，并且制作的阵列基板的性能很难得到保证。另一方面，现有技术中绝缘层的厚度为400nm，这个厚度较厚，导致TFT的充电时间较长；保护层的厚度为250nm，这个厚度较薄，导致数据线与栅线之间的电容较大，容易产生寄生电容(Cgs)，导致源漏电极和栅极之间发生串扰现象，影响显示品质。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何简化阵列基板的制作工艺，减低成本，并保证其更好的性能。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤S1、在基板上连续沉积栅电极，绝缘层和有源层，并通过第一次掩模工艺形成栅电极、栅线和有源层图形；

步骤S2、在完成步骤S1的所述基板上沉积保护层，并通过第二次掩模工艺在所述保护层上形成过孔；

步骤S3、在完成步骤S2的所述基板上沉积像素电极和源漏电极，并通过第三次掩模工艺形成像素区域、源漏电极和数据线。

其中，所述步骤S1具体包括：

在基板上沉积金属层作为栅电极，在所述金属层上沉积SiNx或SiOx作为绝缘层，在所述绝缘层上沉积a-Si作为有源层；然后采用湿法刻蚀对所述有源层进行刻蚀，采用干法刻蚀对所述绝缘层进行刻蚀，再采用湿法刻蚀对栅电极进行刻蚀，得到栅电极和栅线图形；最后采用湿法刻蚀形成有源层图形。

进一步地，所述步骤S2具体包括：

在完成步骤S1的所述基板上沉积SiNx或SiOx作为保护层，利用第二次掩模工艺在所述有源层上形成过孔，在暴露的所述有源层上形成掺杂n型非晶硅的接触层。