[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在基板上连续沉积栅电极，绝缘层和有源层，并通过第一次掩模工艺形成栅电极、栅线和有源层图形；

步骤S2、在完成步骤S1的所述基板上沉积保护层，并通过第二次掩模工艺在所述保护层上形成过孔；

步骤S3、在完成步骤S2的所述基板上沉积像素电极和源漏电极，并通过第三次掩模工艺形成像素区域、源漏电极和数据线。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

在基板上沉积金属层作为栅电极，在所述金属层上沉积SiNx或SiOx作为绝缘层，在所述绝缘层上沉积a-Si作为有源层；然后采用干法刻蚀对所述有源层及绝缘层进行刻蚀，再采用湿法刻蚀对栅电极进行刻蚀，得到栅电极和栅线图形；最后采用干法刻蚀形成有源层图形。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

在完成步骤S1的所述基板上沉积SiNx或SiOx作为保护层，利用第二次掩模工艺在所述有源层上形成过孔，在暴露的所述有源层上形成掺杂n型非晶硅的接触层。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

在完成步骤S2的所述基板上沉积ITO作为像素电极，在所述像素电极上沉积金属层作为源漏电极，采用湿法刻蚀将数据线、源漏电极和像素电极以外的金属层和ITO去除，然后采用干法刻蚀去除掉像素区域的光刻胶，采用湿法刻蚀形成源漏电极和数据线。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

在基板上沉积金属层作为栅电极，在所述金属层上沉积SiNx或SiOx作为绝缘层，在所述绝缘层上沉积金属氧化物作为有源层；然后采用湿法刻蚀对所述有源层进行刻蚀，采用干法刻蚀对所述绝缘层进行刻蚀，再采用湿法刻蚀对栅电极进行刻蚀，得到栅电极和栅线图形；最后采用湿法刻蚀形成有源层图形。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物包括：氧化锌、氧化铟锌镓及其混合物。

7.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

在完成步骤S1的所述基板上沉积SiNx或SiOx作为保护层，利用第二次掩模工艺在所述有源层上形成过孔。

8.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

在完成步骤S2的所述基板上沉积ITO作为像素电极，在所述像素电极上沉积金属层作为源漏电极，采用湿法刻蚀将数据线、源漏电极和像素电极以外的金属层和ITO去除，然后对像素区域的光刻胶进行灰化，再利用湿法刻蚀形成源漏电极和数据线。

9.如权利要求3-4、6-8任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为200nm-400nm，所述保护层的厚度为250nm-400nm。

10.如权利要求1-9任一项所述的方法制作的阵列基板，其特征在于，包括：

基板，形成于所述基板上的栅电极，形成于所述栅电极上的绝缘层，形成于所述绝缘层上的有源层，形成于所述基板上的保护层，形成于所述保护层和有源层上的像素电极，以及形成于所述像素电极上的源漏电极。