[发明专利]有机发光显示设备

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2010年10月22日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2010-0103667的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

根据本发明的实施例涉及有机发光显示设备及其制造方法。

背景技术

平板显示设备，例如有机发光显示设备、液晶显示设备等，被制造在形成有包括薄膜晶体管、电容器以及用于连接薄膜晶体管和电容器的布线的图案的基板上。

一般来说，为了形成具有包括薄膜晶体管等的精细结构的图案，通过利用其上形成有这种图案的掩膜将这种图案传递到制造平板显示器的基板上。

有机发光显示设备的光效率被分成内部效率和外部效率。这里，内部效率取决于有机发光材料的光电转换效率，而外部效率取决于形成有机发光显示设备的每一层的折射率。这里，由于有机发光显示设备与诸如阴极射线管和等离子体显示面板(PDP)之类的其它显示设备相比，具有较低的光耦合效率，即外部效率，因此期望进一步提高有机发光显示设备的诸如亮度、寿命等的一些特性。

发明内容

根据本发明的实施例提供一种通过实现光学谐振效应而具有提高的光效率的有机发光显示设备及其制造方法。

根据本发明一个实施例的方面，提供一种有机发光显示设备，包括：缓冲层，位于基板上并且包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；源电极和漏电极，位于所述缓冲层上并且彼此间隔开；薄膜晶体管的第一有源层，位于所述源电极和漏电极之间；和第二有源层，在与所述第一有源层相同的层处与所述第一有源层间隔开，并且包括与所述第一有源层相同的材料；位于所述缓冲层、所述源电极和所述漏电极以及所述第一有源层和所述第二有源层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；第一栅电极和像素电极，所述第一栅电极与所述第一有源层的中心区域相对应，其中所述第一绝缘层位于所述第一栅电极与所述第一有源层之间，所述像素电极在与所述第一栅电极相同的层处与所述第一栅电极间隔开，并且包括与所述第一栅电极相同的材料；以及位于所述第一栅电极上的第二栅电极。

根据本发明另一实施例的方面，提供一种有机发光显示设备，包括：缓冲层，位于基板上并且包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；位于所述缓冲层上的栅电极；第一绝缘层，位于所述缓冲层和所述栅电极上，并且包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；第一有源层和第二有源层，所述第一有源层与所述栅电极相对应，其中所述第一绝缘层位于所述第一有源层与所述栅电极之间，所述第二有源层在与所述第一有源层相同的层处与所述第一有源层间隔开，并且包括与所述第一有源层相同的材料；接触所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极，以及从所述第一漏电极的一端延伸的像素电极；以及分别位于所述第一源电极和所述第一漏电极上的第二源电极和第二漏电极。

所述缓冲层可以包括至少两层，每层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铪硅(HfSiOx)、五氧化钽(Ta₂O₅)、五氧化铌(Nb₂O₅)、二氧化锆(ZrO₂)、氧化钇(Y₂O₃)和氧化镧(La₂O₃)中的至少一种。

所述缓冲层可以包括上缓冲层和下缓冲层，所述上缓冲层包括SiOx，并且所述下缓冲层包括SiNx。

所述第一绝缘层可以包括至少两层，每层包括SiOx、SiNx、TiO₂、HfO₂、Al₂O₃、HfSiOx、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、La₂O₃和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。

所述第一绝缘层可以包括第一上绝缘层和第一下绝缘层，所述第一上绝缘层包括SiNx，并且所述第一下绝缘层包括SiOx。