[发明专利]有机发光显示设备

权利要求书

1.一种有机发光显示设备，包括：

缓冲层，位于基板上并且包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；

源电极和漏电极，位于所述缓冲层上并且彼此间隔开；

薄膜晶体管的第一有源层，位于所述源电极和所述漏电极之间；和第二有源层，在与所述第一有源层相同的层处与所述第一有源层间隔开，并且包括与所述第一有源层相同的材料；

位于所述缓冲层、所述源电极和所述漏电极以及所述第一有源层和所述第二有源层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；

第一栅电极和像素电极，所述第一栅电极与所述第一有源层的中心区域相对应，其中所述第一绝缘层位于所述第一栅电极与所述第一有源层之间，所述像素电极在与所述第一栅电极相同的层处与所述第一栅电极间隔开，并且包括与所述第一栅电极相同的材料；以及

位于所述第一栅电极上的第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述缓冲层包括至少两层，每层包括氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、氧化铝、氧化铪硅、五氧化钽、五氧化铌、二氧化锆、氧化钇和氧化镧中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述缓冲层包括上缓冲层和下缓冲层，所述上缓冲层包括氧化硅，并且所述下缓冲层包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一绝缘层包括至少两层，每层包括氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、氧化铝、氧化铪硅、五氧化钽、五氧化铌、二氧化锆、氧化钇、氧化镧和氧化铝锌中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中所述第一绝缘层包括第一上绝缘层和第一下绝缘层，所述第一上绝缘层包括氮化硅，并且所述第一下绝缘层包括氧化硅。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：

电容器的下电极，在与所述源电极和所述漏电极相同的层处与所述源电极和所述漏电极间隔开，并且包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料；

在所述电容器的下电极上的第一上电极，位于与所述第一栅电极相同的层处，并且包括与所述第一栅电极相同的材料；以及

在所述电容器的第一上电极上的第二上电极，位于与所述第二栅电极相同的层处，并且包括与所述第二栅电极相同的材料。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括在所述像素电极的边缘处以便暴露所述像素电极的像素限定层。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一有源层和所述第二有源层包括氧化物半导体。

9.一种有机发光显示设备，包括：

缓冲层，位于基板上并且包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；

位于所述缓冲层上的栅电极；

第一绝缘层，位于所述缓冲层和所述栅电极上，并且包括顺序堆叠的具有不同折射率的材料；

第一有源层和第二有源层，所述第一有源层与所述栅电极相对应，其中所述第一绝缘层位于所述第一有源层与所述栅电极之间，所述第二有源层在与所述第一有源层相同的层处与所述第一有源层间隔开，并且包括与所述第一有源层相同的材料；

接触所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极，以及从所述第一漏电极的一端延伸的像素电极；以及

分别位于所述第一源电极和所述第一漏电极上的第二源电极和第二漏电极。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述缓冲层包括至少两层，每层包括氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、氧化铝、氧化铪硅、五氧化钽、五氧化铌、二氧化锆、氧化钇和氧化镧中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的有机发光显示设备，其中所述缓冲层包括上缓冲层和下缓冲层，所述上缓冲层包括氧化硅，并且所述下缓冲层包括氮化硅。

12.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第一绝缘层包括至少两层，每层包括氧化硅、氮化硅、二氧化钛、二氧化铪、氧化铝、氧化铪硅、五氧化钽、五氧化铌、二氧化锆、氧化钇、氧化镧和氧化铝锌中的至少一种。