[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110285881.2 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN103022312A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 杨家强;曾文良 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体装置及其制造方法,尤其涉及一种发光二极管装置及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点,已被广泛地应用到当前的各个领域当中。

传统的具有透镜的发光二极管装置通常包括具有反射杯的LED封装结构、以及固定于LED封装结构上的透镜。通常该种透镜结构经由螺丝或卡榫连接固定在LED封装结构的承载板或反射杯上,然而,该种透镜的固定方式较为繁琐,且由于透镜结构与反射杯或基板之间容易存在间隙,使其密封性难以得到保证。故,需进一步改进。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种制作简便、密封性好的发光二极管装置及其制造方法。

一种发光二极管装置,包括基板、贴设该基板的导电层,设于该导电层上的发光二极管芯片、以及光学部,该光学部包括反射结构及包覆该反射结构的透镜结构,所述光学部经由透镜结构粘贴于该基板的设有导电层的表面并罩设该发光二极管芯片。

一种发光二极管装置制造方法,其步骤包括:提供一基板,该基板包括一第一表面和一第二表面;在该基板的表面形成一导电层,该导电层包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极相互间隔且均贴合于该基板的第一表面和第二表面;提供一发光二极管芯片设于其中一电极上,该发光二极管芯片通过打线或覆晶的方式与该第一电极和第二电极电极形成电性连接,形成一电学部;提供一反射结构,利用注塑成型的方式形成一透镜结构,使该透镜结构包覆该反射结构,从而形成一光学部,该透镜结构包括一贴合面和一出光面,该贴合面呈一规则的平面,该出光面呈一凸曲面;在该透镜结构的贴合面蚀刻形成一凹槽,该凹槽边缘末端与所述反射结构一端相连;将所述光学部通过胶粘的方式与该封装体相连接,使该凹槽收容所述发光二极管芯片,同时使该贴合面位于凹槽的两侧部分与所述第一电极和第二电极相贴合。

与先前技术相比,该光学部的透镜结构包覆该反射结构,使该发光二极管装置的结构更加简单、该反射结构完全嵌入在该透镜结构中,该反射结构与透镜结构连接紧密、且经由粘胶将所述光学部连接固定于所述导电层上,使该发光二极管装置密封性好,同时封装工艺更加简便。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光二极管装置的分解示意图。

图2为图1所示发光二极管装置的结构示意图。

图3为图1所示发光二极管装置另一角度的结构示意图。

图4至图9为图1所示发光二极管装置的制造步骤示意图。

主要元件符号说明

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