[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号: | 201110285881.2 | 申请日: | 2011-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN103022312A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 杨家强;曾文良 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管装置,包括基板、贴设该基板的导电层,设于该导电层上的发光二极管芯片、以及光学部,其特征在于:该光学部包括反射结构及包覆该反射结构的透镜结构,所述光学部经由透镜结构粘贴于该基板的设有导电层的表面并罩设该发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:所述透镜结构包括一贴合面以及开设在该贴合面上的凹槽,该贴合面与基板的设有导电层的表面贴合,该凹槽罩设该设于导电层上的发光二极管芯片。
3.如权利要求2所述的发光二极管装置,其特征在于:所述贴合面通过粘胶与基板的设有导电层的表面相贴合。
4.如权利要求2所述的发光二极管装置,其特征在于:所述透镜结构包括一出光面,该出光面为一凸曲面,且该出光面与贴合面相接、并向远离该贴合面的一侧凸起。
5.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于:该反射结构呈环状。
6.如权利要求5所述的发光二极管装置,其特征在于:该反射结构包括邻近凹槽的底端和邻近出光面的顶端,该顶端半径大于该底端半径。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于:该反射结构的底端与所述凹槽底部边缘相连接。
8.一种发光二极管装置的制造方法,其步骤包括:
提供一基板,该基板包括一第一表面和一第二表面;
在该基板的表面形成一导电层,该导电层包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极相互间隔且均贴合于该基板的第一表面和第二表面;
提供一发光二极管芯片设于其中一电极上,该发光二极管芯片通过打线或覆晶的方式与该第一电极和第二电极电极形成电性连接,形成一电学部;
提供一反射结构,利用注塑成型的方式形成一透镜结构,使该透镜结构包覆该反射结构,从而形成一光学部,该透镜结构包括一贴合面和一出光面;
在该透镜结构的贴合面蚀刻形成一凹槽,该凹槽边缘末端与所述反射结构一端相连;
将所述光学部通过胶粘的方式与该电学部相连接,使该凹槽收容所述发光二极管芯片,同时使该贴合面位于凹槽两侧的部分与所述第一电极和第二电极相贴合。
9.如权利要求8所述的发光二极管装置的制造方法,其特征在于:该贴合面呈一规则的平面,该出光面呈一凸曲面。
10.如权利要求8所述的发光二极管装置的制造方法,其特征在于:该反射结构包括一底端和一顶端,该顶端半径大于该底端半径。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110285881.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电焊搭铁
- 下一篇:一种基于圆柱形电感可实现SMT的单芯片封装件及其制作工艺





