[发明专利]存储设备和半导体设备

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

包括第一存储单元的第一单元阵列；

包括第二存储单元的第二单元阵列；

多个第一字线，其仅电连接至所述第一单元阵列和所述第二单元阵列中的所述第一单元阵列；

多个第二字线，其仅电连接至所述第一单元阵列和所述第二单元阵列中的所述第二单元阵列；

字线驱动电路，其电连接至所述第一字线和第二字线；

多个第一位线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第一单元阵列；

多个第二位线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第二单元阵列；

第一位线驱动电路，其电连接至所述第一位线，所述第一位线驱动电路和所述第一单元阵列相交叠；以及

第二位线驱动电路，其电连接至所述第二位线，所述第二位线驱动电路和所述第一单元阵列相交叠。

2.一种存储设备，包括：

包括第一存储单元的第一单元阵列，每个第一存储单元包括第一晶体管和第一电容器；

包括第二存储单元的第二单元阵列，每个第二存储单元包括第二晶体管和第二电容器；

多个第一字线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第一单元阵列；

多个第二字线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第二单元阵列；

字线驱动电路，其电连接至所述第一字线和第二字线；

多个第一位线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第一单元阵列；

多个第二位线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第二单元阵列；

第一位线驱动电路，其电连接至所述第一位线；以及

第二位线驱动电路，其电连接至所述第二位线；

其中在每个第一存储单元中：

第一晶体管的栅极电连接至第一字线中的一个；

第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接至第一位线中的一个；以及

第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第一电容器；并且

其中在每个第二存储单元中：

第二晶体管的栅极电连接至第二字线中的一个；

第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接至第二位线中的一个；以及

第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第二电容器。

3.一种存储设备，包括：

包括半导体材料的衬底；

包括第一存储单元的第一单元阵列，每个第一存储单元包括形成在所述衬底上方的第一晶体管；

包括第二存储单元的第二单元阵列，每个存储单元包括形成在所述衬底上方的第二晶体管；

多个第一字线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第一单元阵列；

多个第二字线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第二单元阵列；

多个第一位线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第一单元阵列；

多个第二位线，其仅电连接至所述第一单元阵列和第二单元阵列中的第二单元阵列；以及

驱动电路，包括：

第三晶体管；

字线驱动电路，其电连接至所述第一字线和第二字线；

第一位线驱动电路，其电连接至所述第一位线，所述第一位线驱动电路和所述第一单元阵列相交叠；以及

第二位线驱动电路，其电连接至所述第二位线，所述第二位线驱动电路和所述第一单元阵列相交叠，

其中所述第三晶体管具有在衬底的半导体材料内的沟道形成区；以及

其中所述第一晶体管和第二晶体管各自具有沟道形成区，该沟道形成区在包括半导体材料的衬底上形成的氧化物半导体薄膜内。