[发明专利]利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本发明关于一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其目的在于大幅增加太阳光入射硅薄膜太阳能电池的光捕捉效率，进而达到高效率之硅薄膜太阳能电池。 

背景技术

由于能源价格高涨，全球各地皆再寻求替代的绿色能源，硅薄膜太阳能电池即是一种将太阳光转换成电能的有效率的绿色能源。 

目前，业界大多采用氧化锌当作硅薄膜太阳能电池的窗层，但此方式仍有光捕捉效率低的缺点存在，其中造成太阳能电池未能有效充分利用太阳光，使太阳能电池效率降低且价格过高，无法有效普及化应用于生活中的一大因素。 

发明内容

本发明主要目的系一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，此技术方法于利用锌、氧、硼的化合物，由原本ZnO变成ZnO:B，以制造高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其目的在于能够使入射光通过ZnO:B时，可以有效补捉入射光，避免过多入射光反射或散射，造成效率的损失，至少提升80%，并产生高效率硅薄膜太阳能电池。 

一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其特征在于，包含了：一透明玻璃基板；一ZnO:B透明导电层，位于该透明玻璃基板上；一P层硅薄膜半导体层，位于该ZnO:B透明导电层上；一硅薄膜本质半导体层，位于该P层硅薄膜半导体层上；一N层硅薄膜半导体层，位于该硅薄膜本质半导体层上；一下透明导电层，位于该N层硅薄膜半导体层上；一外透明玻璃基板，位于该下透明导电层上。 

其中，该透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。 

其中，该ZnO:B透明导电层，使用锌、氧、硼的化合物制作之透明导电层，使入射光能大量通过，并进入硅薄膜本质层，进而提供太阳光吸收及提升硅薄膜太阳能电池的效率。 

其中，该P层硅薄膜半导体层，使用PH3形成带电洞之半导体层。 

其中，该硅薄膜本质半导体层，使用氢及甲烷制作本质半导体层，使其能够吸收更多太阳入射光，并大幅提升硅薄膜太阳能电池的效率。 

其中，该N层硅薄膜半导体层，使用TMB及B2H6形成带电子之半导体层。 

与传统氧化锌薄膜技术作比较，本发明具有的有效效益为：本发明所使用的利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，包含了透明玻璃基板、ZnO:B透明导电层、P层硅薄膜半导体层、硅薄膜本质半导体层、N层硅薄膜半导体层、下透明导电层及外透明玻璃基板。利用新型氧化锌参杂硼制作的透明导电层，有效提升太阳能电池对入射太阳光的捕捉效率，进而提高硅薄膜太阳能电池对太阳光的吸收效率，并获得高效率硅薄膜太阳能电池，及降低生产成本达到符合市场需求的目的。 

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明,图1是本发明之利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池的新型结构图,主要组件符号说明1 …透明玻璃基板2 …ZnO:B透明导电层3 …P层硅薄膜半导体层4 …硅薄膜本质半导体层5 …N层硅薄膜半导体层6 …下透明导电层7 …外透明玻璃基板。 

 具体实施方式

兹将本发明配合附图,详细说明如下：

参照图1，是本发明利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池的新型结构图，其中包含了透明玻璃基板1、ZnO:B透明导电层2、P层硅薄膜半导体层3、硅薄膜本质半导体层4、N层硅薄膜半导体层5、下透明导电层6及外透明玻璃基板7。

为了能够获得高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其堆栈依序如下：ZnO:B透明导电层2、P层硅薄膜半导体层3、硅薄膜本质半导体层4及N层硅薄膜半导体层5。当太阳光照射在PN接面时，会有部分原子得到能量，进而形成自由电子，而失去电子的原子将会形成电洞，通过P型及N型半导体分别吸引电子与电洞，把正电及负电分离，因此在PN接面的两端形成一电位差，接着在导电层上接上电路，使电子可以通过并在PN接面的另一端再次结合电子与电洞对，即可利用导线将电能输出。 

因此，本发明所使用的新型氧化锌参杂硼透明导电层，其目的在提高太阳能电池对入射太阳光的捕捉效率，进而提高硅薄膜太阳能电池对太阳光的吸收效率，并获得高效率硅薄膜太阳能电池，及降低生产成本达到符合市场需求的目的。 

以上说明,对本发明而言只是说明性的，非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修正、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。