[发明专利]利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其目的在于大幅增加太阳光入射硅薄膜太阳能电池的光捕捉效率，进而达到高效率之硅薄膜太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其中透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。

3.根据权利要求1所述的一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其中该ZnO:B透明导电层，使用锌、氧、硼的化合物制作之透明导电层，使入射光能大量通过，并进入硅薄膜本质层，进而提供太阳光吸收及提升硅薄膜太阳能电池的效率。

4.根据权利要求1所述的一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其中该P层硅薄膜半导体层，使用PH3形成带电洞之半导体层。

5.根据权利要求1所述的一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其中该硅薄膜本质半导体层，使用氢及甲烷制作本质半导体层，使其能够吸收更多太阳入射光，并大幅提升硅薄膜太阳能电池的效率。

6.根据权利要求1所述的一种利用氧化锌参杂硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太阳能电池，其中该N层硅薄膜半导体层，使用TMB及B2H6形成带电子之半导体层。