[发明专利]线阵CCD的一种抗晕结构有效

专利信息
申请号: 201110281168.0 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN102290427A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 汪朝敏;刘昌举;白雪平 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 侯懋琪;侯春乐
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 线阵 ccd 一种 结构
【权利要求书】:

1.线阵CCD的一种抗晕结构,包括:设置在第一结构层(Ⅰ)上的存储栅(2)和抗晕栅(4),设置在第二结构层(Ⅱ)上的N区信道(1)、N-溢出势垒区(4-1)和抗晕漏(3),第一结构层(Ⅰ)和第二结构层(Ⅱ)之间通过SiO2(5)层隔离;位置互相匹配的一条存储栅(2)、一条N区信道(1)和一个N-溢出势垒区(4-1)即形成一个信号单元;位置相互对应的一个抗晕漏(3)和一条抗晕栅(4)即形成一个抗晕单元;位置互相对应的一个信号单元和一个抗晕单元即形成一个像元,多个像元按线阵排列组成线阵CCD;

其特征在于:在第二结构层(Ⅱ)上,每间隔两个信号单元设置一抗晕单元,由抗晕单元两侧的信号单元共用一个抗晕单元;

具体来说:设有位置顺次排列的第一信号单元、第一抗晕单元和第二信号单元,第一信号单元和第二信号单元共用第一抗晕单元,第一信号单元和第一抗晕单元即形成第一像元,第二信号单元和第一抗晕单元即形成第二像元;

第一信号单元和第二信号单元各自对应一个N-溢出势垒区(4-1),两个N-溢出势垒区(4-1)之间设置有一N型掺杂区(3-2),N型掺杂区(3-2)用于抑制第一像元和第二像元内的信号相互溢出。

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