[发明专利]线阵CCD的一种抗晕结构有效
| 申请号: | 201110281168.0 | 申请日: | 2011-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN102290427A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
| 发明(设计)人: | 汪朝敏;刘昌举;白雪平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 线阵 ccd 一种 结构 | ||
1.线阵CCD的一种抗晕结构,包括:设置在第一结构层(Ⅰ)上的存储栅(2)和抗晕栅(4),设置在第二结构层(Ⅱ)上的N区信道(1)、N-溢出势垒区(4-1)和抗晕漏(3),第一结构层(Ⅰ)和第二结构层(Ⅱ)之间通过SiO2(5)层隔离;位置互相匹配的一条存储栅(2)、一条N区信道(1)和一个N-溢出势垒区(4-1)即形成一个信号单元;位置相互对应的一个抗晕漏(3)和一条抗晕栅(4)即形成一个抗晕单元;位置互相对应的一个信号单元和一个抗晕单元即形成一个像元,多个像元按线阵排列组成线阵CCD;
其特征在于:在第二结构层(Ⅱ)上,每间隔两个信号单元设置一抗晕单元,由抗晕单元两侧的信号单元共用一个抗晕单元;
具体来说:设有位置顺次排列的第一信号单元、第一抗晕单元和第二信号单元,第一信号单元和第二信号单元共用第一抗晕单元,第一信号单元和第一抗晕单元即形成第一像元,第二信号单元和第一抗晕单元即形成第二像元;
第一信号单元和第二信号单元各自对应一个N-溢出势垒区(4-1),两个N-溢出势垒区(4-1)之间设置有一N型掺杂区(3-2),N型掺杂区(3-2)用于抑制第一像元和第二像元内的信号相互溢出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





