[发明专利]采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法

权利要求书

1.一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于包括有下列制备步骤：

(A)将质量百分比纯度为99.999％的碲化锑粉末在8～10MPa压力下压制成碲化锑块体；所述碲化锑粉末的平均粒径小于50μm；

(B)将碲化锑块体放入真空镀膜机的真空室(1)的钨舟(3)中，把基板(4)放置于样品台(5)上，调节基板(4)与钨舟(3)的距离d＝4～8cm；

(C)向真空室(1)内充入2～5min氮气后停止，随后对真空室(1)抽真空，使真空室(1)内真空度达到2.0×10^-4Pa～5.0×10^-4Pa；

(D)在PID控制器(2)上设定沉积速率10～18nm/min，沉积时间4～7h；

(E)开启交流电源，调节输出电流165A～170A；开始在基板(4)上沉积制备碲化锑纳米线束阵列；沉积温度为25℃～60℃；

(F)制备完毕，关闭交流电源，随真空镀膜机冷却至20℃～40℃后，取出，制得在基板(4)上沉积具有纳米线束阵列结构的碲化锑。

2.根据权利要求1所述的采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于：所述基板(4)是玻璃板。

3.根据权利要求1所述的采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于：所述基板(4)是CPU处理器。

4.根据权利要求1或3所述的采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于：所述步骤(E)中，沉积温度为25℃～60℃，有利于在CPU处理器上进行物理气相沉积碲化锑纳米线束阵列。

5.根据权利要求1或3所述的采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于：将沉积有碲化锑纳米线束阵列的CPU处理器安装在X200笔记本电脑上，经20小时运动后，沉积有碲化锑纳米线束阵列的CPU处理器的温度为32±2℃；原X200笔记本电脑的CPU处理器，经20小时运动后，CPU处理器的温度为41±3℃。

6.根据权利要求1所述的采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于：物理气相沉积制得的碲化锑纳米线束阵列为微米或亚微米级线束阵列。

7.根据权利要求1所述的采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，其特征在于：物理气相沉积制得的碲化锑纳米线束阵列从断面上看，碲化锑纳米线束阵列中的纳米线直径为20～100nm。