[发明专利]阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造和修复方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其包括栅线和数据线，所述栅线和数据线交叠处形成一寄生电容，其特征在于：所述数据线还设置有分支部，所述分支部与所述栅线交叠形成与所述寄生电容并联的保护电容，所述保护电容的耐压小于所述寄生电容。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于所述保护电容两电极之间的间距小于所述寄生电容两电极之间的间距。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于所述保护电容与寄生电容形成于同一栅线上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于所述保护电容两电极的正对面积大于所述寄生电容两电极的正对面积。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于所述保护电容两电极之间的间距小于所述寄生电容两电极之间的间距。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板，其特征在于所述保护电容两电极之间的间距等于所述寄生电容两电极之间的间距。

7.一种液晶显示装置，其特征在于所述液晶显示装置包括如权利要求1～6任一所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板。

8.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

A：在阵列基板上通过成膜、曝光、刻蚀工艺形成栅线、栅极；

B：直接沉积绝缘层，通过成膜、曝光、刻蚀工艺形成有源层图形、数据线、分支部、源极和漏极；所述数据线与所述栅线交叠，形成寄生电容；所述分支部与相应栅线交叠，以形成与所述寄生电容并联的耐压小于所述寄生电容的保护电容。

9.如权利要求8所述的一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，其步骤B包括以下步骤：

B1：直接沉积绝缘层，通过成膜、曝光、刻蚀工艺在所述栅线对应的位置形成有源层图形；

B2：通过成膜、曝光、刻蚀工艺形成数据线、分支部、源极和漏极。所述数据线与所述栅线交叠，形成寄生电容；所述分支部与相应栅线交叠，成与所述寄生电容并联的耐压小于所述寄生电容的保护电容。

10.一种如权利要求1～6任一所述的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板修复方法，包括以下步骤：

A：定位被击穿的保护电容位置；

B：割断所述保护电容相应的分支部。