[发明专利]太阳能多晶硅片切割废液中碳化硅质量含量的分析方法

权利要求书

1.一种太阳能多晶硅片切割废液中碳化硅质量含量的分析方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤  

 （1）取样  将回收后的太阳能多晶硅片切割废液中的碳化硅粉浆料经酸洗、去离子水漂洗，离心、烘干，得到含碳化硅的试样；经除铁、烘干，放入干燥器中，备用；

（2）三氧化二铁的去除  将烘干后的试样称重，质量为m₁；把试样放入聚四氟乙烯烧杯中，加入去离子水将试样浸泡湿润，然后向所述烧杯中缓慢加入过量稀硫酸，用玻璃棒搅拌，使试样与硫酸充分反应； 

（3）二氧化硅、单质硅的去除  向所述烧杯中加入过量氢氟酸，同时用塑料棒搅拌，使试样中的二氧化硅、单质硅与氢氟酸反应；反应时在烧杯上加盖，待反应结束后冷却至室温，静置20-40min；

（4）碳化硅的分离  向所述烧杯中加入50-70℃的去离子水，晃动烧杯，使反应后生成的硫酸铁充分溶解于去离子水中；将试样静置40-60min，澄清、分层；然后用滤纸反复过滤3-5次，得到碳化硅沉淀；将碳化硅沉淀用去离子水反复漂洗，最后向碳化硅沉淀中加入50-80ml去离子水，测量其pH 值，使其pH 值控制在6-7的范围内；

（5）游离碳的去除  把陶瓷坩埚预先放入箱式电阻炉中烘干，对陶瓷坩埚称重，质量为m₂；把漂洗后的碳化硅沉淀连同滤纸放入陶瓷坩埚中，把陶瓷坩埚放入电阻炉中烘烧5～7min；取出陶瓷坩埚，冷却至室温；

（6）称重：把陶瓷坩埚和碳化硅沉淀用电子天平称重，质量为m₃；

（7）碳化硅质量含量的计算：计算公式：W＝(m₃－m₂ )/m₁×100%； 

式中，m₃：陶瓷坩埚和碳化硅沉淀的质量；m₂：陶瓷坩埚的质量；m₁：试样的质量，单位均为克。

2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：所述稀硫酸为体积比1：1的硫酸水溶液。

3.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：所述步骤（3）中反应时把烧杯放入80-90℃的水浴炉内加热15-20 min。

4.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：当漂洗时出现沉淀物与去离子水分离不清或有漂浮物时，则加入5%的盐酸进行漂洗。

5.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于：所述烘烧温度为750±10℃。