[发明专利]压敏粘合带

说明书

本申请要求对2010年9月16日提交的日本专利申请2010-207827在35U.S.C第119条下的优先权，在此引入以作参考。

技术领域

本发明涉及压敏粘合带。

背景技术

将由硅、镓或砷形成的半导体晶片生产为大直径产品，并在其正面形成图案。然后，研磨背面以减少晶片的厚度至通常约100至600μm，并将晶片切断并分成元件片(切割)，随后进行安装步骤。

在研磨半导体晶片背面的步骤中(背面研磨步骤)，使用压敏粘合带以保护半导体晶片的图案表面。在背面研磨步骤后通常剥离所述压敏粘合带。用于此目的的压敏粘合带需要具有足够的粘着力以便在背面研磨步骤期间不剥离，但也需要具有低粘着力以便所述带在背面研磨步骤后易剥离而不使半导体晶片破损。

通常，作为此类压敏粘合带，已使用包括涂布有压敏粘合剂的基材的压敏粘合带。例如，已提出包括压敏粘合剂层的压敏粘合带，该压敏粘合剂层通过在包含聚乙烯类树脂的基材上施涂丙烯酸类压敏粘合剂获得(WO2007/116856)。然而，此类压敏粘合带的生产需要许多步骤，如使基材形成膜的步骤和施涂压敏粘合剂溶液的步骤，因此生产所述带是昂贵的。此外，还有排出大量CO₂的问题。另外，在上述生产方法中，有必要在施涂压敏粘合剂溶液后通过干燥来去除有机溶剂，因此存在由于有机溶剂的挥发导致的环境负担的问题。

作为解决该问题的方法，给出的方法包括进行基材形成材料和压敏粘合剂形成材料的共挤出。然而，可进行共挤出的材料为热塑性树脂，在使用热塑性丙烯酸类树脂或热塑性苯乙烯类树脂等作为压敏粘合剂形成材料的情况下，存在的问题在于源于压敏粘合剂的杂质可能污染半导体晶片。特别地，当用于构成压敏粘合剂的树脂的聚合中产生的离子(例如，源于催化剂的离子)残留在压敏粘合剂层并污染晶片电路时，可引起如电路断开或短路的麻烦。

发明内容

本发明用于解决上述常规问题，本发明的目的是提供一种对被粘物引起较少污染、粘着力和剥离性能二者优良、并可通过共挤出成型来生产的压敏粘合带。

根据本发明实施方案的压敏粘合带包括，

压敏粘合剂层；和

基材层，其中：

所述压敏粘合剂层包含通过用茂金属催化剂聚合的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物，所述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200,000以上和分子量分布(Mw/Mn)为2以下；和

所述基材层包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。

在本发明的优选实施方案中，所述压敏粘合剂层基本上不含F^-、Cl^-、Br^-、NO₂^-、NO₃^-、SO₄^2-、Li⁺、Na⁺、K⁺、Mg²⁺、Ca²⁺和NH₄⁺。

在本发明的优选实施方案中，所述丙烯-(1-丁烯)共聚物中源于1-丁烯的构成单元的含量为1mol％至15mol％。

在本发明的优选实施方案中，所述压敏粘合带通过将压敏粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成型来获得。

在本发明的优选实施方案中，所述压敏粘合剂层形成材料和基材层形成材料在温度为180℃、剪切速率为100sec^-1下的剪切粘度的差“压敏粘合剂层形成材料-基材层形成材料”为-150Pa·s至600Pa·s以下。

在本发明的优选实施方案中，所述压敏粘合带用于加工半导体晶片。

根据本发明，可提供对被粘物引起较少污染，并且粘着力和剥离性能二者优良的压敏粘合带，因为所述带包括含特定共聚物的压敏粘合剂层。该压敏粘合带特别适合作为加工半导体晶片用的压敏粘合带。此外，根据本发明，可提供能够不使用有机溶剂可在较少步骤内生产的压敏粘合带，这是因为所述带是通过共挤出成型生产的。

附图说明

在附图中：

图1为根据本发明的优选实施方案的层压膜的横截面示意图。

图2为描述用作本发明的压敏粘合带的高度差追随性(step following property)的指标的“浮起宽度(peeling width)”的图。

具体实施方式

A.压敏粘合带的整体构造