[发明专利]整合屏蔽膜及天线的半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一半导体芯片，该半导体芯片具有一整合电路部及一基板部，该整合电路部具有一主动面且该基板部具有一非主动面；

一贯孔，延伸自该主动面且电性连接于该整合电路部；

一电磁干扰屏蔽元件，设于该非主动面且电性连接于该贯孔；

一封装体，包覆该半导体芯片的一部分及该电磁干扰屏蔽元件的一部分，该封装体具有一上表面；

一馈入元件，延伸自该上表面且电性连接至该整合电路部；以及

一天线元件，设于该上表面且电性连接于该馈入元件。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该电磁干扰屏蔽元件包括一共形屏蔽膜。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该贯孔为一硅通孔，该硅通孔形成于该基板部。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该贯孔提供一接地路径，该接地路径连接该电磁干扰屏蔽元件。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该馈入元件包括一导通孔。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该封装体具有一开孔，该馈入元件从该开孔露出。

7.如权利要求6所述的半导体封装件，其中该馈入元件包括一第一子馈入元件及一第二子馈入元件，该第一子馈入元件通过该基板部，该第二子馈入元件通过该封装体。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中该电磁干扰屏蔽元件具有一开孔，使该馈入元件电性隔离于该电磁干扰屏蔽元件。

9.如权利要求7所述的半导体封装件，其中该第一子馈入元件为一硅通孔。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括一重布层，设置且电性连接于该主动面。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，更包括一封装基板，其中该主动面电性连接于该封装基板。

12.一种半导体封装件，包括：

一半导体芯片，该半导体芯片具有一整合电路部及一基板部，该整合电路部具有一主动面且该基板部具有一非主动面；

一贯孔，延伸自该主动面且电性连接于该整合电路部；

一电磁干扰屏蔽元件，设于该非主动面且电性连接于该贯孔；

一介电层，设于该电磁干扰屏蔽元件上，该介电层具有一上表面；

一馈入元件，延伸自该上表面且电性连接至该整合电路部；以及

一天线元件，设于该上表面且电性连接于该馈入元件。

13.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该电磁干扰屏蔽元件具有一开孔，使该馈入元件电性隔离于该电磁干扰屏蔽元件。

14.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该贯孔提供一接地路径，该接地路径连接该电磁干扰屏蔽元件。

15.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该介电层具有一开孔，该馈入元件从该开孔露出。

16.如权利要求12所述的半导体封装件，其中该馈入元件包括一第一子馈入元件及一第二子馈入元件，该第一子馈入元件通过该基板部，该第二子馈入元件通过该封装体。

17.如权利要求12所述的半导体封装件，更包括一重布层，设置且电性连接于该主动面。

18.一种半导体封装件的制造方法，包括：

形成一接地部于一半导体芯片的一整合电路部中；

形成一导通孔于该半导体芯片，该导通孔可作为一接地元件；

设置一电磁干扰屏蔽元件于该半导体芯片的一硅基板的一上表面；以及

以作为该接地元件的该导通孔，连接该电磁干扰屏蔽元件至该接地部。

19.如权利要求18所述的制造方法，更包括：

形成一介电结构覆盖该电磁干扰屏蔽元件的至少一部分；

形成一第二导通孔通过该介电结构及该硅基板，该硅基板可作为一馈入元件；

形成一天线元件于邻近该介电结构的一上表面；以及

以该第二导通孔作为该馈入元件，连接该天线元件至一半导体元件。

20.如权利要求19所述的制造方法，其中设置该电磁干扰屏蔽元件于该半导体芯片的该硅基板的该上表面的该步骤与形成该天线元件于邻近该介电结构的该上表面的该步骤于同一工艺设备完成。