[发明专利]封装基板及使用该封装基板的模块和电气/电子装置无效
| 申请号: | 201110274247.9 | 申请日: | 2011-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN102412209A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 花边充广 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 使用 模块 电气 电子 装置 | ||
1.一种封装基板,其包括:
第一导电层,其形成在所述封装基板的第一主面上,所述第一导电层具有多个第一端子图案部分,所述多个第一端子图案部分通过多个第一外部连接导体与装载在所述第一主面上的半导体部件连接;
第二导电层,其形成在所述封装基板的第二主面上,所述第二导电层具有多个第二端子图案部分,所述多个第二端子图案部分通过第二外部连接导体与安装在所述第二主面上的系统基板连接,所述第二主面与所述第一主面相对;
中间导电层,其形成在所述第一导电层与所述第二导电层之间;
层间绝缘层,其形成在所述第一导电层与所述中间导电层之间以及所述第二导电层与所述中间导电层之间;以及
多个层间连接导体,其贯穿所述层间绝缘层,所述多个层间连接导体层叠成用于所述第一导电层和所述第二导电层之间的连接,
其中,所述第一端子图案部分、所述第一外部连接导体、所述层间连接导体、所述第二端子图案部分和所述第二外部连接导体相连接,
形成用于连接所述半导体部件与所述系统基板的电流路径,且
位于与中心部分区域相对应的位置的所述电流路径具有高电阻,位于与所述中心部分区域外部的外围区域相对应的位置的所述电流路径具有低电阻,所述中心部分区域包括上面装载有所述半导体部件的装载区域的中心部分。
2.如权利要求1所述的封装基板,其中,用于驱动所述半导体部件的电源电流在所述电流路径中流动。
3.如权利要求1所述的封装基板,其中,用于驱动所述半导体部件的接地电流在所述电流路径中流动。
4.如权利要求1所述的封装基板,其中,所述封装基板包括具有高电阻的所述层间连接导体,具有高电阻的所述层间连接导体位于与所述装载区域相对应的位置,所述封装基板包括具有低电阻的所述层间连接导体,具有低电阻的所述层间连接导体位于与所述装载区域外部的外围区域相对应的位置,且
所述中心部分区域对应于所述装载区域。
5.如权利要求4所述的封装基板,其中,所述封装基板包括多个所述中间导电层,在邻近的所述中间导电层之间形成所述层间绝缘层。
6.如权利要求5所述的封装基板,其中,在同一个所述层间绝缘层中,位于与所述装载区域相对应的位置的所述层间连接导体具有高电阻,位于与所述外围区域相对应的位置的所述层间连接导体具有低电阻。
7.如权利要求6所述的封装基板,其中,所述同一个所述层间绝缘层是从所述第一导电层一侧开始计数的第二层所述层间绝缘层。
8.如权利要求5所述的封装基板,其中,在部分或者全部的所述层间绝缘层中,位于与所述装载区域相对应的位置的所述层间连接导体具有高电阻,位于与所述外围区域相对应的位置的所述层间连接导体具有低电阻。
9.如权利要求8所述的封装基板,其中,从所述第一导电层一侧开始计数的至少一个所述层间绝缘层中,位于与所述装载区域相对应的位置的所述层间连接导体具有高电阻,位于与所述外围区域相对应的位置的所述层间连接导体具有低电阻。
10.如权利要求5所述的封装基板,其中,
靠近所述装载区域并位于与所述外围区域相对应的位置的所述层间连接导体具有高电阻,且
当从所述第一导电层一侧开始对所述层间绝缘层的层数进行计数时,具有高电阻的所述层间连接导体的数量随着所述层间绝缘层的层数的增加而增加。
11.如权利要求4所述的封装基板,其中,位于与所述装载区域相对应的位置的所述层间连接导体和位于与所述外围区域相对应的位置的所述层间连接导体是由具有不同电阻的导电材料制成。
12.如权利要求4所述的封装基板,其中,层叠成用于所述第一导电层与所述第二导电层之间连接的所述多个层间连接导体形成为具有层叠过孔结构。
13.如权利要求4所述的封装基板,其中,同一个所述层间绝缘层中的所述层间连接导体是填充过孔、中空过孔或通孔中的任一种。
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