[发明专利]半导体压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体压力传感器的制造方法，具备：

(a)在半导体基板上形成具有多个第1开口的第1绝缘膜的工序；

(b)在所述第1绝缘膜上，在该第1绝缘膜的所述多个第1开口内形成与所述半导体基板相接的牺牲层的工序；

(c)在所述牺牲层上形成层叠构造的工序，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜、在应成为该多晶硅隔膜的下方的真空室的空间侧形成的多晶硅应变计电阻、内包它们并具有与所述牺牲层相接的蚀刻液导入孔的绝缘膜群；以及

(d)使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔并蚀刻所述牺牲层，从而将所述层叠构造形成为在所述真空室上起作用的隔膜体，并且通过蚀刻所述半导体基板中的所述第1绝缘膜的所述第1开口下的表面，形成应成为所述真空室的所述空间以及配置于该空间中并向所述隔膜体的中央附近突出的隔膜制动器的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

在所述工序(c)形成的所述层叠构造包含：

属于所述绝缘膜群的所述第2绝缘膜，其在所述牺牲层上形成；

多晶硅布线，在所述第2绝缘膜上形成；

属于所述绝缘膜群的所述第3绝缘膜，其在所述多晶硅布线上具有露出该多晶硅布线的开口，还具备：

(e)在所述第3绝缘膜的所述开口内的所述多晶硅布线上形成第1金属层的工序；以及

(f)形成第2金属层的工序，该第2金属层与所述第1金属层相接，且填充到所述蚀刻液导入孔内真空密封所述空间，并且作为电极垫起作用。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

在所述工序(d)形成的所述隔膜制动器的前端部俯视时具有十字形的形状。

4.根据权利要求3所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

所述隔膜制动器的所述前端部的宽度为5μm以下。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

在所述工序(a)形成的所述第1绝缘膜俯视时还具有形成于比所述多个第1开口更靠外侧的多个第2开口，

在所述工序(b)形成的所述牺牲层在所述第1绝缘膜的所述多个第1及第2开口内与所述半导体基板相接，

在所述工序(c)形成的所述蚀刻液导入孔与所述第2开口连通，

在所述工序(d)中，将与所述第2开口邻接的第1流路作为所述空间的一部分形成于所述半导体基板。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

在所述工序(a)形成的所述第1绝缘膜的所述第1开口俯视时具有向外侧突出的突出部分，

在所述工序(c)形成的所述蚀刻液导入孔与所述第1开口的所述突出部分连通，

在所述工序(d)中，将与所述突出部分邻接的第2流路作为所述空间的一部分形成于所述半导体基板。

7.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

所述第1绝缘膜具有将所述多个第1开口局部结合而形成的一个第3开口，以取代所述多个第1开口。

8.根据权利要求6所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

在所述第1绝缘膜的所述第1开口内，设有在所述工序(d)的蚀刻时抑制所述半导体基板的侧面蚀刻的防止侧面蚀刻用补偿图案。

9.根据权利要求5所述的半导体压力传感器的制造方法，其中，

通过所述工序(d)的蚀刻而在所述半导体基板显露并与所述空间邻接的晶体取向(111)面的端部，俯视时与所述蚀刻液导入孔重叠。

10.一种半导体压力传感器，具备：

半导体基板，在表面形成有多个凹部；

第1绝缘膜，在所述半导体基板上形成，具有与所述多个凹部分别对应的多个第1开口；以及

隔膜体，包含：多晶硅隔膜、在该多晶硅隔膜的下方的真空室侧形成的多晶硅应变计电阻、以及内包它们的绝缘膜群，

所述半导体基板的所述多个凹部、所述第1绝缘膜的所述多个第1开口以及所述隔膜体的所述凹部侧的表面形成所述真空室，

与所述真空室连通的蚀刻液导入孔设于所述绝缘膜群，

在所述真空室中的所述半导体基板配置有向所述隔膜体的中央附近突出的隔膜制动器。