[发明专利]可提高工艺效率的薄膜制作方法无效
| 申请号： | 201110274108.6 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102320561A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张艳红;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 工艺 效率 薄膜 制作方法 | ||
1.一种可提高工艺效率的薄膜制造方法，包括步骤：
提供{111}方向的硅基底(101)，其上形成有阻挡层(102)；
刻蚀所述阻挡层(102)和所述硅基底(101)，在所述硅基底(101)中形成多个浅槽(103)，所述浅槽(103)具有第一深度(h1)；
在多个所述浅槽(103)的侧壁形成侧壁保护层(104)；
进一步刻蚀多个所述浅槽(103)，在所述硅基底(101)中形成多个深槽(105)，所述深槽(105)相比所述浅槽(103)加深第二深度(h2)；
采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(105)，在所述硅基底(101)内部形成腔体(106)；
采用填充材料(107)将多个所述浅槽(103)完全填充，形成封闭的腔体(106)和位于所述腔体(106)之上的薄膜；
其中，所述薄膜上深槽(105)的窗口具有多列，其排列方式包括平行排列、交叉排列和/或波浪排列。
2.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述薄膜垂直于平边<110>方向的尺寸与平行于平边<110>方向的尺寸的比值越大，所述薄膜上深槽(105)的窗口列数越多。
3.根据权利要求2所述的薄膜制造方法，其特征在于，当所述薄膜垂直于平边<110>方向的尺寸与平行于平边<110>方向的尺寸的比值大于时，所述深槽(105)的窗口列数至少为3列。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述薄膜上深槽(105)的窗口还具有尖角加速列，位于所述薄膜的尖角位置处。
5.根据权利要求4所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述深槽(105)的窗口的形状为长方形、正方形、三角形、多边形、圆形或者其他任意封闭图形。
6.根据权利要求5所述的薄膜制造方法，其特征在于，每一列所述深槽(105)的窗口为离散间隔排布，或者连续不间断排布。
7.根据权利要求1所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用各向异性的腐蚀工艺，在所述硅基底(101)内部形成所述腔体(106)。
8.根据权利要求7所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为KOH、TMAH、EDP、NaOH、CsOH或NH4OH。
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