[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 201110270290.8 | 申请日: | 2011-09-13 |
| 公开(公告)号: | CN102403440A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
| 发明(设计)人: | 陈昭兴;钟健凯;叶慧君;古依雯 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包含:
一发光阵列,包含一第一发光单元及一与第一发光单元电性串联连接的第二发光单元;
至少二第一打线电极,形成在第一发光单元上;及
至少二第二打线电极,形成在第二发光单元上;
其中,至少二第一打线电极的其中之一为一浮动电极,及至少二第二打线电极的其中之一为一浮动电极;及
其中,发光阵列通过二第一打线电极与二第二打线电极而发光。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中,第一发光单元包含一第一发光二极管,第一发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层;及其中二第一打线电极分别形成于第一发光二极管的第一、第二半导体层上。
3.如权利要求2所述的发光装置,其中,第一发光二极管位于发光阵列的一端,以接收来自一电源供应器的信号;及其中,第二发光单元包含一第二发光二极管,位于发光阵列的另一端以接收来自电源供应器的信号。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中,第二发光单元包含一第二发光二极管,第二发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层;及其中二第二打线电极分别形成于第二发光二极管的第一、第二半导体层上。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中,第一发光单元包含二发光二极管,每一发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层;及其中二第一打线电极分别形成于二发光二极管的第一半导体层上。
6.如权利要求1所述的发光装置,其中,第二发光单元包含二发光二极管,每一发光二极管包含一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层;及其中二第二打线电极分别形成于二发光二极管的第二半导体层上。
7.如权利要求1所述的发光装置,其中,发光阵列还包含一第三发光单元,与第一、第二发光单元电性串联连接。
8.如权利要求7所述的发光装置,还包含一电性连接结构,以电连接第一、第二、第三发光单元。
9.如权利要求7所述的发光装置,其中,第一、第二、第三发光单元形成于一单一基板上。
10.一种发光装置,包含:
多个彼此串联电性连接的发光二极管;
其中在一预定电流下,发光二极管的操作电压至少可在三个范围内调整。
11.如权利要求10所述的发光装置,还包含四打线电极,与发光二极管电性连接。
12.如权利要求11所述的发光装置,其中,二打线电极,形成于一发光二极管上,且另外二打线电极形成于另一发光二极管上。
13.如权利要求10所述的发光装置,其中,发光二极管的操作电压在三个范围中,任两个范围的差别介于1V至10V。
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