[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110267396.2 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000768A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 林新强;曾文良 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
步骤一，提供基板；
步骤二，设置发光二极管芯片于基板上；
步骤三，在基板上形成封装体，该封装体覆盖于发光二极管芯片上；
步骤四，利用工具将封装体的顶面平整为平面。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：步骤三之前还包括在所述基板上形成有反射杯，该反射杯的中央形成容置部，所述发光二极管芯片容置于该容置部内。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装体填充于所述容置部内。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装体填满所述容置部，且该封装体的顶部高出所述反射杯。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：平整后的封装体的顶面与反射杯的顶面齐平。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：在步骤三之前，还包括在所述基板两侧分别设置有挡板，所述挡板与基板共同围设成容置部，所述发光二极管芯片容置于该容置部内。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装体填充于所述容置部内。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装体填满所述容置部，且该封装体的顶部高出所述挡板。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：平整后的封装体的顶面与挡板的顶面齐平。
10.如权利要求1-9中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤四为利用研磨工具将封装体的顶面研磨为平面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110267396.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
