[发明专利]形成非平面晶体管的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作非平面晶体管结构的方法，特别是涉及一种能同时形成非平面晶体管以及平面晶体管的方法。

背景技术

近年来，随着各种消费性电子产品不断的朝小型化发展，半导体元件设计的尺寸亦不断缩小，以符合高集成度、高效能和低耗电的潮流以及产品需求。

然而，随着电子产品的小型化发展，现有的平面晶体管(planar transistor)已经无法满足产品的需求。因此，目前发展出一种非平面晶体管(non-planar)的鳍状晶体管(Fin-FET)技术，其具有立体的栅极沟道(channel)结构，可有效减少基底的漏电、降低短沟道效应，并具有较高的驱动电流。但由于鳍状晶体管是属于立体的结构，较传统结构复杂，制造难度也偏高，一般通常是在硅绝缘(silicon-on-insulator，SOI)基底上形成，若要相容于现有的硅基底工艺则有一定的难度。并且，由于鳍状晶体管的制法较为特殊，因和现有的平面晶体管整合时，也会遇到一定的问题。

发明内容

本发明于是提供一种同时形成非平面晶体管以及平面晶体管的方法。

根据实施例，本发明提供一种形成非平面晶体管的方法。首先提供基底，基底上定义有有源区以及周边区。接着于基底的有源区中形成多个超浅沟槽隔离。然后移除部分的超浅沟槽隔离，以暴露出基底的一部分侧壁。于基底上的有源区以及周边区上形成导电层，并覆盖住基底的部分侧壁。图案化导电层，使得该导电层在该周边区中形成平面晶体管的栅极，而位于有源区中同时形成至少一非平面晶体管的栅极。于鳍状电极的栅极的两侧形成源极/漏极。

本发明提供了一种仅需要一道光掩模即可同时定义出平面晶体管的栅极以及非平面晶体管的方法，且两者具有相同水平高度的栅极，工艺简单。此外，本发明还整合了在有源区中形成超浅沟槽隔离工艺以及在隔离区中形成浅沟槽隔离的方法，且由于都是利用同一个掩模层以进行图形转移，并不会影响整体工艺。

附图说明

图1至图10绘示了本发明形成非平面晶体管的步骤示意图。

附图标记说明

300基底                        314第二沟槽

301有源区                      316第二绝缘层

302衬垫层                      317超浅沟槽隔离

303隔离区                      318第三图案化光致抗蚀剂层

304掩模层                      319介电层

305周边区                      320导电层

306第一图案化光致抗蚀剂层      321鳍状结构

308第一沟槽                    322平面晶体管的栅极

310第一绝缘层                  323源极/漏极

311浅沟槽隔离                  324非平面晶体管的栅极

具体实施方式

为使本发明所属技术领域的一般技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个优选实施例，并配合附图，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。