[发明专利]形成非平面晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成非平面晶体管的方法，包括：

提供基底，该基底上定义有有源区以及周边区；

于该基底的该有源区中形成多个超浅沟槽隔离；

移除各超浅沟槽隔离的部分，以使各超浅沟槽隔离间暴露出的该基底构成多个鳍状结构；

于该基底上的该有源区以及该周边区上形成导电层，并覆盖各鳍状结构；

图案化该导电层，使得该导电层在该周边区中形成平面晶体管的栅极，而同时于该有源区中形成至少一非平面晶体管的栅极；以及

于该非平面晶体管的该栅极两侧的该鳍状结构中形成源极/漏极。

2.如权利要求1的形成非平面晶体管的方法，其中该导电层包括多晶硅或金属。

3.如权利要求1的形成非平面晶体管的方法，其中该基底还包括隔离区包围该有源区。

4.如权利要求3的形成非平面晶体管的方法，其中还包括在该隔离区中形成浅沟槽隔离。

5.如权利要求4的形成非平面晶体管的方法，先形成该浅沟槽隔离后，再形成该超浅沟槽隔离。

6.如权利要求4的形成非平面晶体管的方法，先形成该超浅沟槽隔离后，再形成该浅沟槽隔离。

7.如权利要求4的形成非平面晶体管的方法，还包括：

在该基底上形成掩模层；

图案化该掩模层，以在该隔离区中形成第一图案化掩模层；

以该第一图案化掩模层为掩模蚀刻该基底，以在该隔离区中形成第一沟槽，并在该第一沟槽中填入第一绝缘层以形成该浅沟槽隔离；

图案化该掩模层，以在该有源区中形成第二图案化掩模层；以及

以该第二图案化掩模层为掩模蚀刻该基底，以在该有源区中形成至少一第二沟槽，并在该第二沟槽中填入第二绝缘层以形成该超浅沟槽隔离。

8.如权利要求4的形成非平面晶体管的方法，其中形成该多个鳍状结构的步骤包括：

于该基底上形成图案化掩模层，该图案化掩模层具有开口，且该开口的侧壁对应设置于最靠近该隔离区的该超浅沟槽隔离上；以及

以该图案化掩模层为掩模进行蚀刻工艺，以形成该多个鳍状结构。

9.如权利要求4的形成非平面晶体管的方法，其中该浅沟槽隔离在基底中的深度为2000埃至3000埃。

10.如权利要求4的形成非平面晶体管的方法，其中该超浅沟槽隔离在基底中的深度为200至500埃。

11.如权利要求1的形成非平面晶体管的方法，其中该平面晶体管的该栅极与该非平面晶体管的该栅极具有相同的水平高度。