[发明专利]一种调控聚丙烯结晶行为及结晶结构的方法有效

专利信息
申请号: 201110266060.4 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN102408627A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 冯嘉春;田野菲;宋士杰;赵义清 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C08L23/12 分类号: C08L23/12;C08L23/14;G01N11/00;G05D23/30
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 调控 聚丙烯 结晶 行为 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种调控等规聚丙烯结晶行为及结晶结构的方法,其特征是在平行板流变仪中将等规聚丙烯样品加热至高于熔点的某一温度,即自成核温度,再降温进行等温或非等温结晶的一种方法,通过平行板流变仪记录的流变特征的变化实时观察到自成核调控聚丙烯结晶特性的效果;

该方法中选择的自成核温度不同,聚丙烯自成核能力也不同,最终结晶所表现出的结晶行为及形成球晶的大小、结构等也就不同,通过选择不同的自成核温度,可实现对聚丙烯结晶行为及结晶结构的调控。

2.根据权利要求1所述的调控等规聚丙烯结晶行为及结晶结构的方法,其特征在于所述的等规聚丙烯,为等规聚丙烯均聚物PPH、高抗冲击聚丙烯HIPP或无规共聚聚丙烯PPR,以及以等规聚丙烯为主体的混合物或复合物。

3.根据权利要求1所述的调控等规聚丙烯结晶行为及结晶结构的方法,其特征在于所述的自成核温度,通常是高于所选材料表观熔点而低于该材料平衡熔点的任意温度,

对于等规聚丙烯均聚物PPH和高抗冲聚丙烯HIPP而言,通常适当自成核温度范围为165-175℃,

对于无规共聚聚丙烯PPR,则自成核温度范围与共聚单体含量有关,通常低于PPH或HIPP所选用的温度。

4.根据权利要求1所述的调控等规聚丙烯结晶行为及结晶结构的方法,其特征在于结晶行为的变化可利用结晶过程中储能模量的变化反映出来,即可以通过流变特征的变化实时观察到自成核调控聚丙烯结晶特性的效果。

5.根据权利要求1所述的调控等规聚丙烯结晶行为及结晶结构的方法,其特征在于在升温至自成核温度的过程中,当接近自成核温度时,升温速率可减慢并通过微调方法使样品准确达到自成核温度,防止出现温度过冲现象。

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