[发明专利]一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法

权利要求书

1.一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，在一绝缘体上硅基板中形成有通过后栅极工艺制成的包含一晶体管的后栅极高介电常数MOS结构，晶体管的漏极和源极分别与晶体管栅槽存在叠加区域，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a：进行湿法刻蚀，将上述晶体管器件的晶体管栅槽内的样本栅去除，其中，高介电层和金属氧化物介电材料层既可以在制备样本栅时预先制备，也可以在去除样本栅后制备；

    步骤b：晶体管栅槽内的倾斜一定的角度进行倾斜离子注入，并且自动对准注入于金属氧化物介电材料层，增大栅槽处的功函数，以使得晶体管栅槽下方的扩散区域反型为与该晶体管的阱区相同的掺杂类型。

2.如权利要求1所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，晶体管设置为：源极为N+型，漏极为N+型，阱区为P型。

3.如权利要求1所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，步骤b离子注入方向是靠近晶体管漏极一侧的的角度倾斜离子注入。

4.如权利要求3所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，注入离子使得晶体管的栅下端的漏极扩散区域反型为P型。

5.如权利要求1至4任一权利要求所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，所述功函数为较大的离子，采用B、C、Al、Ti、Cr、Ni、Ge、As、Se、Rh、Pd、Te、Re、Pt、Au、Hg、Po元素为基的离子。

6.如权利要求1所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，步骤b离子注入为倾斜一定的角度双向对称倾斜离子注入，一个方向为晶体管栅槽内的靠近晶体管源极一侧的的角度倾斜离子注入，另一方向为晶体管栅槽内的靠近晶体管漏极一侧的的角度倾斜离子注入，以增大栅槽处的功函数，注入离子使得晶体管的栅下端的源漏扩散区域反型为P型。

7.如权利要求6所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，晶体管设置为：源极为N+型，漏极为N+型，阱区为P型。

8.如权利要求6所述的后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法，其特征在于，所述功函数为较大的离子，采用B、C、Al、Ti、Cr、Ni、Ge、As、Se、Rh、Pd、Te、Re、Pt、Au、Hg、Po元素为基的离子。