[发明专利]被研磨物的研磨方法及研磨垫

说明书

技术领域

本发明涉及一种使被研磨物的表面形成为凸面或凹面的被研磨物的研磨方法及研磨垫。

背景技术

以往，为了使半导体晶片等被研磨物的表面平坦化而进行化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing：CMP)。在CMP过程中，被研磨物的表面的研磨量在表面内容易出现不均匀，已公开一种用来均匀地进行研磨以提高平坦性的技术(例如，专利文献1)。

专利文献1：日本特开2004-327567号公报

但是，例如，光学部件有时会需要具有凹面或凸面的晶片。以前，一直是向提高平坦性的方向进行研发，而没有形成精度较高的凹面或凸面的技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种被研磨物的研磨方法及研磨垫，其用来通过研磨被研磨物的表面而使表面形成为精度较高的凹面或者凸面。

为了解决上述问题，本发明提供一种如下所述的被研磨物的研磨方法及研磨垫。

1.一种被研磨物的研磨方法，研磨垫在表面上的径向的中心区域和外周区域形成有不同的槽状态，所述中心区域或所述外周区域中的任一区域为形成有槽的第一研磨区域，另一区域为做成与所述第一研磨区域不同的槽状态的第二研磨区域，在该研磨垫上以横跨所述第一研磨区域与所述第二研磨区域的交界的状态配设被研磨物，使所述研磨垫及所述被研磨物旋转而研磨所述被研磨物，使所述被研磨物的表面形成为凹面或凸面。

2.根据1.所述的被研磨物的研磨方法，在所述研磨垫的所述中心区域形成所述第一研磨区域，使所述被研磨物的表面形成为凹面。

3.根据1.所述的被研磨物的研磨方法，在所述研磨垫的所述外周区域形成所述第一研磨区域，使所述被研磨物的表面形成为凸面。

4.根据1.～3.中任一项所述的被研磨物的研磨方法，在所述研磨垫的所述第一研磨区域形成有同心圆状的所述槽。

5.一种研磨垫，在表面上的径向的中心区域和外周区域形成有不同的槽状态，所述中心区域或所述外周区域中的任一区域为形成有槽的第一研磨区域，另一区域为做成与所述第一研磨区域不同的槽状态的第二研磨区域。

6.一种被研磨物的研磨方法，在表面上形成有槽的研磨垫上配设被研磨物，使所述研磨垫及所述被研磨物以不同转速旋转，通过控制所述研磨垫及所述被研磨物的转速差，将所述被研磨物的表面研磨成凹面或凸面。

7.根据6.所述的被研磨物的研磨方法，使所述研磨垫的转速比所述被研磨物的转速大，将所述被研磨物的表面形成为凹面。

8.根据6.所述的被研磨物的研磨方法，其特征在于，使所述研磨垫的转速比所述被研磨物的转速小，将所述被研磨物的表面形成为凸面。

9.一种被研磨物的研磨方法，在表面上形成有槽的研磨垫上配设被研磨物，在所述研磨垫的径向上，在比所述被研磨物的中心部更靠近所述研磨垫的中心区域、以及比所述被研磨物的中心部更靠近所述研磨垫的外周区域供给不同的浆料，或者只在一个区域供给浆料，并使所述研磨垫及所述被研磨物旋转而研磨所述被研磨物，将所述被研磨物的表面形成为凹面或凸面。

10.根据9.所述的被研磨物的研磨方法，在所述研磨垫的中心区域、和比所述被研磨物的中心部更靠近所述研磨垫的外周区域，供给不同pH的浆料，使所述被研磨物的表面形成为凹面或凸面。

发明效果：

根据本发明的被研磨物的研磨方法，可以使被研磨物的表面形成为凹面或凸面。因为可以根据研磨垫的种类、转速、浆料来决定研磨条件，所以易于使条件最优化。

使用本发明的研磨垫进行研磨，可以使被研磨物的表面形成为凹面或凸面。

附图说明

图1是表示CMP装置的示意图。

图2A是表示在中心区域形成有第一研磨区域的研磨垫的一实施方式的示意图。

图2B是表示在外周区域形成有第一研磨区域的研磨垫的一实施方式的示意图。

图2C是表示外周区域为具有槽的第二研磨区域的实施形态的示意图。

图2D是表示中心区域为具有槽的第二研磨区域的实施形态的示意图。

图3是在上段表示研磨前的被研磨物、在下段右侧表示研磨成凹面的被研磨物、在下段左侧表示研磨成凸面的被研磨物的截面图。

图4A是表示在中心区域形成有第一研磨区域、在第一研磨区域形成有格子状的槽的研磨垫的示意图。

图4B是表示在中心区域形成有第一研磨区域、在第一研磨区域形成有孔状的槽的研磨垫的示意图。