[发明专利]压电装置的制造方法及压电装置无效
申请号: | 201110264620.2 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN102412801A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 市川了一;天野芳明;龟泽健二 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/19 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李家浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将压电振动片放置在形成于基部晶片上的基部上的压电装置的制造方法及压电装置。
背景技术
表面实装用的压电装置具有可以一次性大量制造的优点。因此,如专利文献1(日本特开2001-267875号公报)所示,提案有以盖部晶片或基部晶片为单位制造压电装置的方法。在专利文献1所公开的制造方法中,在盖部晶片或基部晶片上形成贯通孔,在其贯通孔上形成金属膜图案、即电极。
可是,专利文献1的压电装置的制造方法仅公开了通过激光、湿刻或喷砂等形成贯通孔,并没有公开哪种方法会更加有效等。随着压电装置的小型化,使得对贯通孔的正确大小和形成于贯通孔的电极形成提出了更高的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供使用恰当地形成贯通孔的基部晶片而进行的压电装置的制造方法。
第1观点的压电装置的制造方法,使用基部和在其基部的周围形成有多个贯通孔的基部晶片,制造具有压电振动片和基部的压电装置,包含:基部晶片由玻璃或压电材料构成,在基部晶片的第1面和第1面的相反侧的第2面上形成耐蚀膜的耐蚀膜形成工序;在耐蚀膜上形成光致抗蚀剂并进行曝光后,对与贯通孔对应的耐蚀膜进行金属蚀刻的金属蚀刻工序;在金属蚀刻工序之后,将玻璃或压电材料浸在蚀刻液中从基部晶片的第1面和第2面进行湿刻,湿刻至玻璃或压电材料马上就要贯通的程度的湿刻工序;以及在第2面上形成有耐蚀膜的状态下,从第2面侧吹付研磨材料的喷砂工序。
第2观点的压电装置的制造方法,在喷砂工序中,在第1面上形成有耐蚀膜的状态下,从第1面侧吹付研磨材料。
第3观点的压电装置的制造方法,在喷砂工序后,除去耐蚀膜的除去工序;在除去工序后,在第2面上形成实装用的外部电极和在贯通孔上形成侧面电极的工序。
在第4观点的压电装置的制造方法中,基部从第2面侧观察为具有4个边的矩形形状,贯通孔是形成在基部的相邻的角上的圆孔。
在第5观点的压电装置的制造方法中,基部从第2面侧观察为具有4个边的矩形形状,贯通孔是形成在基部的相邻的边上的长孔。
第6观点的压电装置,具有配置在由盖部和基部形成的空腔内的压电振动片,基部具备:形成一对外部电极的第1面;第1面的相反侧的第2面;以及在第2面通过连结第1面和第2面的侧面与外部电极连接的一对连接电极,连结第1面和第2面的侧面的剖面包含:从第1面至中央的第1区域;从第2面至中央的第2区域;以及在中央从第1区域及第2区域向外侧突出的突出区域。
在第7观点的压电装置中,第2面通过喷砂实现粗面化。
在第8观点的压电装置中,第1面通过喷砂实现粗面化。
根据本发明的制造方法,以基部晶片为单位可以以低成本制造压电装置,另外可以制造耐久性优良的压电装置。
附图说明
图1是第1实施方式的第1水晶振子100的分解立体图。
图2是图1的A-A剖视图。
图3是表示制造第1实施方式的第1水晶振子100的流程图。
图4是水晶晶片10W的俯视图。
图5是盖部晶片11W的俯视图。
图6是详细表示基部12的制造步骤S12的说明图。在此,右侧为对应于左侧的流程图的各步骤的图1的A-A剖面的基部晶片12W的局部剖视图。
图7是基部晶片12W的俯视图。
图8是第1实施方式的变形例,对应于图1的A-A剖面的第1水晶振子100’的剖视图。
图9是详细表示基部12’的制造步骤S12’的说明图。在此,右侧为对应于左侧的流程图的各步骤的图1的A-A剖面的基部晶片12W的局部剖视图。
图10是第2实施方式的第2水晶振子200的分解立体图,省略了低熔点玻璃LG而进行绘制。
图11是图10的B-B剖视图。
图12是表示水晶框架20的制造步骤T20的说明图。在此,右侧为对应于左侧的步骤的图10的B-B剖面的水晶晶片20W的局部剖视图。
图13是水晶晶片20W的俯视图。
图14是基部晶片22W的俯视图。
图中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电波工业株式会社,未经日本电波工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110264620.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。