[发明专利]半导体单元

权利要求书

1.一种半导体单元，包括：

布线板(11A，11B)，跨越其厚度具有第一表面和第二表面；

导体层(14A，14B)，形成于所述布线板(11A，11B)的所述第一表面上；以及

散热片(15，17，17A，17B，17C，17D，27，37)，接合到所述布线板(11A，11B)的所述第二表面，

其特征在于：

所述导体层(14A，14B)当在所述布线板(11A，11B)的厚度方向上查看时具有长度和宽度，

其中所述散热片(15，17，17A，17B，17C，17D，27，37)具有在所述导体层(14A，14B)的长度方向上延伸的弯曲边。

2.根据权利要求1所述的半导体单元，其特征在于所述导体层(14A，14B)是形成于所述布线板(11A，11B)的所述第一表面上的多个导体层(14A，14B)中的一个，所述导体层(14A，14B)当在所述布线板(11A，11B)的厚度方向上查看时具有各自的长度和宽度，所述导体层(14A，14B)被定位成使得所述长度的方向彼此重合，所述散热片(15，17，17A，17B，17C，17D，27)具有接合部分和从所述结合部分延伸的传热部分，其中当在所述布线板(11A，11B)的厚度方向上查看时在所述散热片(15，17，17A，17B，17C，17D，27)与所述导体层(14A，14B)之间存在重叠区，其中当在所述布线板(11A，11B)的厚度方向上查看时，所述散热片(15，17，17A，17B，17C，17D，27)的所述接合部分的至少部分位于每个重叠区中。

3.根据权利要求2所述的半导体单元，其特征在于当在所述布线板(11B)的厚度方向上查看时位于每个重叠区中的所述接合部分的面积与所述重叠区的面积之比为1/2或者更多。

4.根据权利要求2或者3所述的半导体单元，其特征在于所述导体层(14B)被定位成使得所述宽度的方向彼此重合，其中当所述重叠区中的至少两个重叠区并置于所述导体层(14B)的宽度方向上时，在并置于所述导体层(14B)的宽度方向上的所述重叠区之间的至少存在分离区，其中当在所述布线板(11B)的厚度方向上查看时位于每个重叠区中的所述接合部分的面积与所述重叠区的面积之比被设置成大于当在所述布线板(11B)的厚度方向上查看时位于所述分离区中的所述接合部分的面积与所述分离区的面积之比。

5.根据权利要求2或者3所述的半导体单元，其特征在于所述接合部分具有在所述导体层(14B)的长度方向上延伸的具有恒定宽度的成直线的接合区(T)，所述接合区(T)的宽度与每个导体层(14B)的宽度相同。

6.根据权利要求5所述的半导体单元，其特征在于所述导体层(14B)和所述散热片(17，17A，27)由相同材料制成。

7.根据权利要求5所述的半导体单元，其特征在于所述散热片(17)是偏移散热片并且所述导体层(14B)设置成对应于所述接合区(T)。

8.根据权利要求2或者3所述的半导体单元，其特征在于所述散热片(17)的所述结合部分是所述散热片(17)的多个接合部分之一，其中所述散热片(17)的所述结合部分连续形成于所述导体层(14B)的长度方向上，其中所述导体层(14B)被定位成使得所述宽度的方向彼此重合，其中连续形成于所述导体层(14B)的长度方向上的两个相邻接合部分在所述导体层(14B)的宽度方向上偏移。

9.根据权利要求2或者3所述的半导体单元，其特征在于所述传热部分以之字形方式形成于所述散热片(27)的所述弯曲边延伸的方向上。

10.根据权利要求2或者3所述的半导体单元，其特征在于所述导体层(14B)被定位成使得所述宽度的方向彼此重合，其中所述导体层(14B)在其宽度方向上的间隔基本上相同，其中每个导体层(14B)设置有P型半导体器件(12)和N型半导体器件(13)。

11.根据权利要求1至3中的任一权利要求所述的半导体单元，其特征在于所述布线板(11B)的所述第二表面具有形成于所述导体层(14B)的长度方向上的槽(111)，其中所述散热片(37)接合到所述布线板(11B)而所述散热片(37)插入于所述布线板(11B)的所述槽(111)中。