[发明专利]压电器件与电子设备有效
申请号: | 201110264290.7 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102684602A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 堀江协 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;张彬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 器件 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种如下的压电器件及内置有该压电器件的电子设备,例如,在压电振动器的封装件外部组装有附带温度传感器的电子部件的压电器件中,通过使电子部件的热状态接近于压电振动元件,能够实现包括启动时的频率漂移特性在内的高精度的温度特性。
背景技术
在移动体通信市场中,考虑到各种电气安装件的安装性、维护/操作性、装置之间的部件通用性等因素,从而按各种功能来推进部件组的模块化的厂家正在不断增多。并且,随着模块化的推进,对于小型化、低成本化的需求也十分强烈。
尤其是,对于标准频率信号产生用振荡电路、PLL电路以及合成器电路等的、确立了功能及硬件结构,且要求高稳定性、高性能化的电路部件,模块化的趋势更加强烈。而且,通过将这些部件组作为一个模块而封装化,从而具有容易确立密封结构的优点。
通过使多个关联部件模块化且封装化而构成的、用于表面安装的IC部件可以例示为,例如压电振动器、压电振荡器、SAW器件等。
在专利文献1、2、3中,公开了如下的表面安装式压电振荡器,其结构为,为了在将上述功能维持于较高水平的同时进一步促进小型化,在压电振动器的封装件外部安装了包括振荡电路、温度补偿电路在内的IC部件。
在这种压电振荡器中,压电振动器内的压电振动元件的温度、与由搭载在与压电振动器外部相连接的IC部件上的温度传感器所检测的温度之间,容易产生温度差。在存在温度差的情况下,由于振荡器的发射信号频率会根据基于错误温度数据的温度传感器的输出而被补正,因此无法获得稳定的温度/频率特性,并且启动时的频率漂移特性将会恶化。
为了应对这种不良状况,一直以来,考虑采用以直接连接有压电振动片的绝缘基板侧的温度作为测量点的结构。
也就是说,在专利文献1中,公开了一种如下的技术,即,在使作为振荡电路元件的IC部件、与将压电振动元件收纳于封装件内部的压电振动器的外部所设置的电极部相连接的、温度补偿型压电振荡器中,通过将温度传感器配置在与电极部相连接的IC部件的连接端子附近,从而减少压电振动片的温度与由温度传感器感应到的温度之间的差异,从而稳定温度/频率特性、频率漂移特性。
但是,与压电振动器侧的电极部相连的IC部件的连接端子为,与振荡电路的放大器导通的结构。而且,由于放大器随着其动作会发热,因此如果在IC部件内使温度传感器靠近压电振动器侧的电极部,则根据情况有可能会检测出IC部件的发热温度,从而有可能恶化上述频率漂移特性。
其次,在专利文献2中公开了如下的技术,其通过将含有振荡电路与温度传感器的第一IC部件收纳在,于封装件内收纳有压电振动元件的压电振动器内部,同时在压电振动器外部连接具有温度补偿电路的第二IC部件,从而将温度传感器配置在与压电振动元件相同温度的环境下,以减少压电振动元件温度与由温度传感器感应到的温度之间的差异,进而使温度/频率特性与频率漂移特性稳定。
但是,使本来只需装配在压电振动器外部即可的IC部件分成两部分,并将附带温度传感器的第一IC部件收纳在封装件内的结构,从性价比方面而言实现性较低,并且会阻碍振荡器整体的小型化。
此外,在专利文献3中,公开了如下的技术,其通过将IC部件连接在,于以悬臂支撑状态而收纳压电振动元件的封装件外部所设置的凹陷处,并将IC部件的温度传感器端子与设置在封装件内的枕状部件相连接,从而使压电振动元件温度与由温度传感器感应到的温度之间的差异减少,并且稳定温度/频率特性、频率漂移特性。
但是,由于在压电振动元件与封装件的陶瓷底座之间存在导电性粘合剂,因而向压电振动元件的热传导速度、比通过枕状部件而向温度传感器端子的热传导速度慢,因此无法有效提高频率漂移特性。
而且,由于上述专利文献的结构均为,使压电振动元件搭载在陶瓷基板绝缘基板)上的结构,因此认为,只需测量与压电振动元件的物理距离较短而直接连接的陶瓷基板的温度,即可正确检测出压电振动元件的温度,但是实际上并没有充分获得使频率漂移特性更加良好的效果。
如上所述,在压电振动器外部连接有包括温度传感器在内的IC部件的、现有的表面安装式压电振荡器中,存在如下问题,即,压电振动器内部的压电振动元件温度、与由配置在压电振动器外部的温度传感器检测到的检测温度之间容易产生温度差,因此无法获得稳定的温度/频率特性,此外启动时的频率漂移特性将会恶化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-191517号公报
专利文献2:日本特开2008-263564号公报
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