[发明专利]广视角液晶显示器阵列基板制作方法有效

专利信息
申请号: 201110264229.2 申请日: 2011-09-07
公开(公告)号: CN102315167A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 郝付泼;谢凡;胡君文;于春崎;李建华 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 516600 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 视角 液晶显示器 阵列 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示器制作技术领域,更具体的说是涉及一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法。

背景技术

液晶显示器是一种平面超薄的显示设备,具有低辐射、耗电量小和体积小等优点,特别是广视角的液晶显示器,由于其色彩不受视角的限制,从各个角度看,其色彩变化很小,因此广泛应用于电视机、电脑、手机等的显示器制作领域。

但是由于广视角液晶显示器造价昂贵,特别是在液晶显示器阵列基板的工艺制作上,因此如何降低阵列基板的制作成本,成为亟待解决的问题。

现有的广视角液晶显示器阵列基板制作方法中,通常采用六道掩膜制作工艺,第一道掩膜制作工艺为在基板上溅射栅极金属薄膜,然后经过曝光、显影、刻蚀等光刻制程制作出栅极,第二道掩膜制作工艺是在制作有栅极的基板上溅射透明导电薄膜,经过曝光、显影、刻蚀等工艺制作一透明电极,第三道掩膜制作工艺为在制作有像素电极的基板上制作有源层,第四道掩膜制作工艺用于制作源漏极,第五道掩膜制作工艺用来定义保护层图案,制作保护层,然后通过第六道掩膜制作在基板上形成另一透明电极。

由上述过程可以看出,现有的广视角液晶显示器阵列基板制作方法,采用六道掩膜制作工艺,制作流程较多,制作周期长,因而导致制作成本较高。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种广视角液晶显示器阵列基板的制作方法,用以解决阵列基板制作流程多,导致制作成本高的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法,所述方法包括:

提供一基板,在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层;

在所述基板上涂布光敏材料,使用半色调掩膜版进行曝光并显影,形成不同厚度的光敏材料图形;

在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上,进行刻蚀形成第一透明电极;

对所述形成透明电极的基板进行脱膜,去除光敏材料,形成栅极;

依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。

优选地,所述半色调掩膜版上对应基板的栅极制作区域为不透光区域,第一透明电极制作区域为部分透光区域,其他区域为透光区域,则,

所述形成的不同厚度的光敏材料图形具体是:基板栅极制作区域的光敏材料全部保留,第一透明电极制作区域光敏材料部分保留,其他区域光敏材料被去除。

优选地,所述在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上,进行刻蚀形成第一透明电极包括:

通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料;

通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极。

优选地,所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为:

定义第一刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域上的栅极金属层,所述第一刻蚀参数包括第一选择比;

定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料,所述第二刻蚀参数包括第二选择比。

优选地,所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为:

进行湿法刻蚀,去除基板其他区域上的栅极金属层;

定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域上的第一透明导电薄膜和第一透明电极制作区域上的光敏材料。

优选地,所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为:

定义第三刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域的光敏材料,所述第三刻蚀参数包括第三选择比。

优选地,通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极具体为:

进行湿法刻蚀,去除所述第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极。

优选地,通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域的栅极金属层,形成第一透明电极具体为:

定义第四刻蚀参数进行干法刻蚀,去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极,所述第四刻蚀参数包括第四选择比。

优选地,所述对所述形成透明电极的基板进行脱膜,去除光敏材料,形成栅极具体为:

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