[发明专利]广视角液晶显示器阵列基板制作方法有效
申请号: | 201110264229.2 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102315167A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 郝付泼;谢凡;胡君文;于春崎;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 视角 液晶显示器 阵列 制作方法 | ||
1.一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一基板,在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层;
在所述基板上涂布光敏材料,使用半色调掩膜版进行曝光并显影,形成不同厚度的光敏材料图形;
在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上,进行刻蚀形成第一透明电极;
对所述形成透明电极的基板进行脱膜,去除光敏材料,形成栅极;
依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述半色调掩膜版上对应基板的栅极制作区域为不透光区域,第一透明电极制作区域为部分透光区域,其他区域为透光区域,则,
所述形成的不同厚度的光敏材料图形具体是:基板栅极制作区域的光敏材料全部保留,第一透明电极制作区域光敏材料部分保留,其他区域光敏材料被去除。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上,进行刻蚀形成第一透明电极包括:
通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料;
通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为:
定义第一刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域上的栅极金属层,所述第一刻蚀参数包括第一选择比;
定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域的透明导电薄膜和第一透明电极制作区域的光敏材料,所述第二刻蚀参数包括第二选择比。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为:
进行湿法刻蚀,去除基板其他区域上的栅极金属层;
定义第二刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域上的第一透明导电薄膜和第一透明电极制作区域上的光敏材料。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过刻蚀工艺去除基板其他区域上的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域上的光敏材料具体为:
定义第三刻蚀参数进行干法刻蚀,去除基板其他区域的栅极金属层和透明导电薄膜,以及第一透明电极制作区域的光敏材料,所述第三刻蚀参数包括第三选择比。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极具体为:
进行湿法刻蚀,去除所述第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极。
8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,通过刻蚀工艺去除第一透明电极制作区域的栅极金属层,形成第一透明电极具体为:
定义第四刻蚀参数进行干法刻蚀,去除第一透明电极制作区域上的栅极金属层,形成第一透明电极,所述第四刻蚀参数包括第四选择比。
9.根据权利要求3~8任一项所述的方法,其特征在于,所述对所述形成透明电极的基板进行脱膜,去除光敏材料,形成栅极具体为:
对形成第一透明电极的基板的栅极制作区域脱膜,去除栅极制作区域上的光敏材料,形成栅极。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层具体为:
在所述基板上依次溅射透明导电薄膜和栅极金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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