[发明专利]半导体集成电路制造方法

权利要求书

1.一种高深宽比孔结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：

在等离子体刻蚀机的腔体中通入所需的刻蚀反应气体，采用脉冲等离子体刻蚀待刻蚀层，得到所需的高深宽比孔结构；

其中，所述脉冲等离子体是在所述等离子体刻蚀机的腔体的源端和偏置端均连接脉冲功率；

所述脉冲功率由多个脉冲周期组成，通过调节脉冲功率的脉冲频率和脉冲占空比的来实现对所产生的等离子体的控制；

所述脉冲功率的每个脉冲周期中均具有开启状态和关闭状态，在开启状态下，所述脉冲功率用于等离子体的产生。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀机采用感应耦合等离子体(ICP)或回旋共振等离子体(ECR)的刻蚀设备。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述等离子体刻蚀机的腔体的源端和偏置端均连接脉冲功率，源端和偏置端连接的脉冲功率被设置为同步或异步、同相或异相。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲功率的脉冲频率范围是500Hz到20kHz，脉冲占空比的范围是10％到90％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲功率的每个开启状态的时间长度不应使高深宽比孔结构中积累的正电荷达到稳定状态。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲功率的每个开启状态的时间长度小于10毫秒，以抵制不同尺寸高深宽孔结构反应区的微负载效应和/或深宽比依赖效应。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲功率的每个关闭状态的时间长度要长到电负性离子能够注入到高深宽孔结构中从而抵消正电荷累积效应，并且能够去除每个开启状态中刻蚀反应的副产物。

8.一种高深宽比孔结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：

在等离子体刻蚀机的腔体中通入所需的刻蚀反应气体，采用连续波等离子体与脉冲等离子体相结合的方法刻蚀待刻蚀层，得到所需的高深宽比孔结构；

其中，通过应用所述连续波等离子体刻蚀所述待刻蚀层的第一部分，借助于刻蚀时间或终点诊测系统控制连续波等离子体刻蚀的终点；

然后，采用脉冲等离子体刻蚀所述待刻蚀层的余下部分，直至得到所需的高深宽比孔结构；

其中，所述脉冲等离子体是在所述等离子体刻蚀机的腔体的源端和偏置端均连接脉冲功率；

所述脉冲功率由多个脉冲周期组成，通过调节脉冲功率的脉冲频率和脉冲占空比的来实现对所产生的等离子体的控制；

所述脉冲功率的每个脉冲周期中均具有开启状态和关闭状态，在开启状态下，所述脉冲功率用于等离子体的产生。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用光学干涉法测定所述待刻蚀层薄膜厚度来控制连续波等离子体刻蚀的终点。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用光学光谱法通过测定不同波段的频率来控制连续波等离子体刻蚀的终点。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，根据待刻蚀层的特性要求，控制一定的刻蚀时间，从而确定连续波等离子体刻蚀的终点。