[发明专利]混合线条的制造方法有效
| 申请号： | 201110263770.1 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983067A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 唐波;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混合 线条 制造 方法 | ||
1.一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：
A、在底层上依次形成材料层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；
B、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；
C、在第一硬掩模层上形成光刻胶掩模图形；
D、以第二硬掩模图形和光刻胶掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；
E、以第一硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。
2.如权利要求1的方法，其中，步骤A还包括在底层与材料层之间形成垫层。
3.如权利要求1的方法，其中，步骤B包括在第二硬掩模层上形成第一光刻胶、采用第一光源对第一光刻胶曝光显影以形成第一光刻胶图形、以及以第一光刻胶图形为掩模刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形。
4.如权利要求1的方法，其中，步骤C包括在第二硬掩模图形以及第一硬掩模层上形成第二光刻胶、采用第二光源对第二光刻胶曝光显影以形成光刻胶掩模图形。
5.如权利要求1的方法，其中，第一硬掩模层和第二硬掩模层材质不同。
6.如权利要求1的方法，其中，第一硬掩模层和/或第二硬掩模层包括LTO、PETEOS、PESIN。
7.如权利要求3或4的方法，其中，第一光源包括i线光源、g线光源、深紫外光源、X射线光源，第二光源包括电子束光源。
8.如权利要求1的方法，其中，第一线条比第二线条宽。
9.如权利要求4的方法，其中，刻蚀第一硬掩模图形之前，还包括图形检查和关键尺寸测量的步骤。
10.如权利要求1的方法，其中，步骤D还包括在刻蚀第一硬掩模图形的同时去除第二硬掩模图形。
11.如权利要求1的方法，其中，各步刻蚀采用等离子体干法刻蚀。
12.如权利要求1的方法，其中，底层包括半导体或绝缘体，材料层包括金属、金属氮化物、单晶硅、多晶硅、氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
