[发明专利]封装单元及其堆叠结构与制造方法无效
| 申请号: | 201110262924.5 | 申请日: | 2011-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN102446884A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
| 发明(设计)人: | 洪英博;张道智 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 单元 及其 堆叠 结构 制造 方法 | ||
1.一种封装单元,至少包括:
基板;
第一图案化线路层,位于该基板的一表面;
第一导电柱,贯穿该基板,并连接该第一图案化线路层;
半导体元件,设置于该基板上,该半导体元件包括至少一芯片;
绝缘层,覆盖该半导体元件及该基板;
第二导电柱,贯穿该绝缘层,并电连接该第一导电柱;
第三导电柱,贯穿该绝缘层,并连接该半导体元件;
第二图案化线路层,位于该绝缘层上,并连接该第二导电柱及该第三导电柱;以及
导电凸块,设置于该第二图案化金属层上。
2.如权利要求1所述的封装单元,还至少包括:
介金属层,设置于该第一导电柱及该第二导电柱之间,该第一导电柱的材质及该第二导电柱的材质皆包含铜,该介金属层的材质包含锡-铜介金属化合物。
3.如权利要求1所述的封装单元,其中该第一导电柱及该第二导电柱位于同一直线上。
4.如权利要求1所述的封装单元,其中该第一导电柱及该第二导电柱位于该半导体元件的外围。
5.如权利要求1所述的封装单元,其中该第三导电柱的位置与该半导体元件的位置重叠。
6.如权利要求1所述的封装单元,其中该第二导电柱的长度大于该半导体元件的厚度。
7.如权利要求1所述的封装单元,其中该绝缘层的厚度大于该半导体元件的厚度。
8.如权利要求1项所述的封装单元,其中该半导体元件设置于该基板之外。
9.如权利要求1所述的封装单元,其中该绝缘层至少包覆该半导体元件的一上表面及一侧面。
10.一种封装单元的堆叠结构,至少包括:
至少两个封装单元,各该封装单元至少包括:
基板;
第一图案化线路层,位于该基板的一表面;
第一导电柱,贯穿该基板,并连接该第一图案化线路层;
半导体元件,设置于该基板上,该半导体元件包括至少一芯片;
绝缘层,覆盖该半导体元件及该基板;
第二导电柱,贯穿该绝缘层,并电连接该第一导电柱;
第三导电柱,贯穿该绝缘层,并连接该半导体元件;
第二图案化线路层,位于该绝缘层上,并连接该第二导电柱及该第三导电柱;及
导电凸块,设置于该第二图案化金属层上;
其中,该些封装单元的其中之一的该第一图案化线路设置于该些封装单元的其中之另一的该导电凸块上。
11.一种封装单元的制造方法,至少包括:
提供一基板;
形成一第一图案化线路层及一第一导电柱,该第一图案化线路层设置于该基板的一表面,该第一导电柱贯穿该基板并连接该第一图案线路层;
设置一半导体元件于该基板上,该半导体元件包括至少一芯片;
形成一绝缘层于该半导体元件及该基板上;以及
形成一第二导电柱、一第三导电柱及一第二图案化线路,该第二导电柱贯穿该绝缘层并电连接该第一导电柱,该第三导电柱贯穿该绝缘层并连接该半导体元件,该第二图案化线路层设置于该绝缘层上并连接该第二导电柱及该第三导电柱。
12.如权利要求11所述的封装单元的制造方法,还至少包括:
形成一第一金属材料于该第一导电柱上,其中在形成该第二导电柱的步骤中,该第二导电柱形成于该第一金属材料上,且该第一导电柱的材质及该第二导电柱的材质皆包含铜,该第一金属材料的材质包含锡。
13.如权利要求12所述的封装单元的制造方法,还至少包括:
形成一第二金属材料于该第二图案化线路上;以及
回焊该第一金属材料及该第二金属材料,以使该第一金属材料回焊为一介金属层,并使该第二金属材料回焊为一导电凸块。
14.如权利要求13所述的封装单元的制造方法,其中第一导电柱及该第二导电柱的材质包含铜,该第一金属材料的材质包含锡,该介电金属层的材质包含锡-铜介金属化合物。
15.如权利要求11所述的封装单元的制造方法,其中形成该绝缘层、该第二导电柱、该第三导电柱及该第二图案化线路的该些步骤执行于形成该第一图案化线路及该第一导电柱的该些步骤之后。
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