[发明专利]Cu电极保护膜用NiCu合金靶材以及叠层膜有效

专利信息
申请号: 201110261494.5 申请日: 2011-08-30
公开(公告)号: CN102321832A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 大森浩志;坂口一哉;胜见昌高 申请(专利权)人: 大同特殊钢株式会社
主分类号: C22C19/05 分类号: C22C19/05;C22C19/03;C22C9/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 丁业平;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: cu 电极 保护膜 nicu 合金 以及 叠层膜
【说明书】:

技术领域

本发明涉及Cu电极保护膜用NiCu合金靶材以及叠层膜,具体而言,本发明涉及用于形成用作触摸面板或液晶面板的电极的Cu电极保护膜的Cu电极保护膜用NiCu合金靶材、以及使用该靶材而制造的叠层膜。

背景技术

触摸面板、以及薄型大画面电视等中所使用的液晶面板具有在2块透明基板之间封闭有液晶这样的结构。在透明基板的内侧(液晶侧的一面)形成有作为液晶的工作电极的透明电极。在透明电极中,一般使用氧化铟锡(ITO)。另外,在形成有透明电极的基板表面的一部分中形成有作为外部输出端子的金属电极或金属配线(以下将它们统称为“金属电极”)。在基板表面中,金属电极形成在不需要透光的部分(例如,基板的外周部)处。

在透明电极的表面上直接形成金属电极的情况下,当透明电极与金属电极之间的标准电位差(电位差)较大时,金属电极发生电解腐蚀。另外,有时候形成于基板表面的底层与金属电极之间发生原子的相互扩散,从而金属电极的电特性发生劣化。因此,一般在金属电极的两面均形成用于保护金属电极的保护膜(阻隔层)。在现有的液晶面板中,一般使用Al-Nd系合金作为金属电极,并使用Mo-Nb系合金作为保护膜。

关于在这种液晶面板中所使用的金属电极、保护膜、以及用于形成它们的材料,一直以来有各种提案。

例如,专利文献1中公开了这样的薄膜形成用溅射靶:其含有共计2~50原子%的选自V和Nb中的一者或两者,余量为Mo和不可避免的杂质,并且其相对密度为95%以上。

在该文献中记载了:使用含有Nb或V的Mo合金靶时,可以得到不含有害的Cr、电阻低且耐腐蚀性高的金属薄膜。

另外,专利文献2中公开了这样的溅射靶材:其以Mo作为主体,含有0.5~50原子%的选自Ti、Zr、V、Nb、Cr中的金属元素M,并具有预定的组织。

在该文献中记载了:将原料粉末混合物压缩成形以形成成形体,将该成形体粉碎再次形成粉末,并将该粉末加压烧结,由此抑制了成分的偏析,并且还提高了烧结体的塑性加工性。

另外,专利文献3中公开了这样的靶部件:该靶部件不是金属电极的保护膜用靶材,其含有Ni:70~85重量%、Cu:2~10重量%、以及Mo:1~6重量%和/或Cr:0.5~3重量%,余量基本上由Fe构成,并且经溅射的面的结晶粒度比JIS奥氏体结晶粒度编号No.3小。

在该文献中记载了:使用这种靶时,可以获得保磁力低且均匀的Fe-Ni合金薄膜。

另外,专利文献4中公开了这样的蒸镀用Ni-Fe基合金:该合金不是金属电极的保护膜用靶材,其含有Ni:35~85重量%、选自Mo、Cr、Cu和Nb中的1种以上:3~15重量%、Al:1重量%以下、Ca和/或Mg:300ppm以下、O:30ppm以下、N:30ppm以下,余量基本上为Fe。

在该文献中记载了:通过使用这种靶材,可以获得纯度极高的高特性的磁性薄膜。

另外,在非专利文献1中公开了这样的方法:使用Ar+O2混合气体对由Cu-2重量%Zr合金、Cu-1重量%Mo合金或Cu-0.7重量%Mg合金构成的靶进行溅射。

在该文献中记载了:通过采用该方法,可以在由Cu系材料构成的层(金属电极)与底层之间的界面处形成与底层的贴附性良好的阻隔层(氧化层)。

另外,专利文献5中公开了这样的溅射靶:其不是金属电极的保护膜用靶材,其由Ni-7.5质量%Ti-4~40质量%Cu合金构成,可用于形成芯片电阻器用的电极。

在该文献中记载了:在Ni-Ti合金中添加Cu时,由于饱和磁化强度变小,因此可以获得长寿命的靶材。

另外,专利文献6中公开了这样的用于形成阻隔层的镍合金溅射靶:其不是金属电极的保护膜用靶材,其由

(a)Ni-25原子%Cu-2原子%Cr合金(Ni-26.6质量%Cu-1.7质量%Cr合金)、或

(b)Ni-25原子%Cu-12原子%Ti合金(Ni-27.1质量%Cu-9.8质量%Ti合金)形成。

在该文献中记载了:使用具有这样的组成的靶来形成阻隔层时,可以抑制Sn的扩散。

随着液晶面板的大型化,人们需求比A1系材料的电阻更低的材料。另外,在A1系配线的保护膜中所用的Mo-Nb系合金价格昂贵,成为液晶面板低成本化的障碍。与此相对,Cu系材料比A1系材料的电阻低,期待作为替代A1系材料的低电阻配线材料。

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