[发明专利]Cu电极保护膜用NiCu合金靶材以及叠层膜有效
申请号: | 201110261494.5 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN102321832A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 大森浩志;坂口一哉;胜见昌高 | 申请(专利权)人: | 大同特殊钢株式会社 |
主分类号: | C22C19/05 | 分类号: | C22C19/05;C22C19/03;C22C9/06 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cu 电极 保护膜 nicu 合金 以及 叠层膜 | ||
1.一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材,其含有
15.0质量%≤Cu≤55.0质量%、以及
0.5质量%≤(Cr、Ti)≤10.0质量%,其中,Cr>0、Ti>0,
余量为Ni及不可避免的杂质。
2.权利要求1所述的Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材,其中
25.0质量%≤Cu≤40.0质量%、并且
1.0质量%≤(Cr、Ti)≤5.0质量%,其中,Cr>0、Ti>0。
3.一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材,其含有
15.0质量%≤Cu≤55.0质量%、以及
0.5质量%≤Cr≤10.0质量%,
余量为Ni及不可避免的杂质。
4.权利要求3所述的Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材,其中
25.0质量%≤Cu≤40.0质量%、并且
1.0质量%≤Cr≤5.0质量%。
5.一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材,其含有
15.0质量%≤Cu≤55.0质量%、以及
0.5质量%≤Ti≤10.0质量%,
余量为Ni及不可避免的杂质。
6.权利要求5所述的Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材,其中
25.0质量%≤Cu≤40.0质量%、并且
1.0质量%≤Ti≤5.0质量%。
7.一种叠层膜,具有:
Cu电极、以及
在所述Cu电极的一面或两面形成的保护膜,
所述保护膜由使用权利要求1至6中任意一项所述的Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材成膜而成的薄膜所形成。
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