[发明专利]热敏感缓冲材料有效
| 申请号: | 201110261362.2 | 申请日: | 2011-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN102306633A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 杜建伟;秦跃林 | 申请(专利权)人: | 友达光电(苏州)有限公司;友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/603 |
| 代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
| 地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 敏感 缓冲 材料 | ||
1.一种热敏感缓冲材料,用于垫设于一压头和一被压物之间,其特征在于:该热敏感缓冲材料包括第一材料和第二材料,该第一材料用于对准该压头,该第二材料靠近该第一材料的边缘,且该第二材料的热膨胀系数大于该第一材料的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述热敏感缓冲材料具有一待压部以及一可卷曲部,该待压部用于在该压头靠近该热敏感缓冲材料时被施压,该可卷曲部用于受该压头温度的影响而卷曲,该第一材料的至少一部分位于该待压部,该第二材料位于该可卷曲部。
3.根据权利要求2所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述热敏感缓冲材料还包括第三材料,该第三材料与该第一材料相连,且其至少一部分位于该待压部,该第二材料围绕该第三材料,其热膨胀系数大于该第三材料的热膨胀系数。
4.根据权利要求2所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述第一材料包括一水平部以及由水平部延伸形成的竖直部,该第二材料围绕该竖直部。
5.根据权利要求2所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述热敏感缓冲材料还包括第三材料及第四材料,该第三材料与该第一材料相连,且其至少一部分位于该待压部,该第四材料位于该可卷曲部,该第二材料和第四材料分别围绕该第三材料和第一材料且其热膨胀系数分别大于该第三材料和第一材料的热膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述该第二材料的热膨胀系数大于该第四材料的热膨胀系数。
7.根据权利要求1所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述热敏感缓冲材料包括至少两层,该第一层包括该第一材料,该第二层包括该第二材料以及一第三材料,该第三材料与该第一材料相连且靠近该第二侧,该第二材料围绕该第三材料,且该第二材料的热膨胀系数大于该第三材料的热膨胀系数。
8.根据权利要求1所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述热敏感缓冲材料包括至少两层,该第一层包括该第一材料与一第四材料,该第二层包括该第二材料与一第三材料,该第三材料与该第一材料相连且靠近该第二侧,该第二材料和第四材料分别围绕该第三材料和该第一材料,且该第二材料和第四材料的热膨胀系数分别大于该第三材料和第一材料的热膨胀系数。
9.根据权利要求1所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述第一材料的热膨胀系数小于0.1。
10.根据权利要求1所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述第二材料的热膨胀系数为1.2~2.5。
11.根据权利要求3、5、7或8所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述第三材料的热膨胀系数小于0.1。
12.根据权利要求5或8所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述第四材料的热膨胀系数为1~2.5。
13.根据权利要求1所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,所述热敏感缓冲材料的宽度为压头宽度的1.2~2倍。
14. 一种热敏感缓冲材,用于垫设于一压头与一被压物之间,其特征在于,该热敏感缓冲材料包含一待压部与一可卷曲部,而该可卷曲部位于该待压部周边,其中该可卷曲部的热膨胀系数大于该待压部。
15.根据权利要求14所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,该待压部具有一第一材料与一第三材料,该可卷曲部包含一第二材料,其中该第一材料设置于该第二材料与该第三材料上方,而该第二材料设置于该第三材料周边,且该第二材料的热膨胀系数分别大于该第一材料与该第三材料。
16.根据权利要求15所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,该可卷曲部更包含一第四材料,该第四材料设置于该第一材料周边,且该第四材料的热膨胀系数分别大于该第一材料与该第三材料。
17.根据权利要求15所述的热敏感缓冲材料,其特征在于,该第一材料与该第三材料为相同材质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





