[发明专利]晶片封装体有效
申请号: | 201110261112.9 | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN102386156A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 洪子翔;邱新智;许传进;林佳昇;何彦仕;梁裕民 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485;H01L27/146 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 | ||
技术领域
本发明有关于晶片封装体,特别是有关于光电元件晶片封装体。
背景技术
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或照明的应用中扮演着重要的角色,这些光电元件均已广泛地应用于例如数字相机(digital camera)、数字摄像机(digital Video recorder)、移动电话(mobile phone)、太阳能电池、荧幕、照明设备等电子元件中。
随着科技的演进,对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提高。
发明内容
本发明提供一种晶片封装体,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,设置于该第一表面处;一保护层,设置于该基底的该第二表面上,该保护层具有一开口;一导电凸块,设置于该基底的该第二表面上,且填充于该开口之中;一导电层,设置于该保护层与该基底之间,该导电层电性连接该光电元件及该导电凸块;以及一遮光层,设置于该保护层之上,该遮光层不接触该导电凸块。
本发明所述的晶片封装体,还包括一穿基底导电结构,该穿基底导电结构包括:一穿孔,自该第二表面朝该第一表面延伸;以及一绝缘层,形成于该穿孔的侧壁上,且延伸至该基底的该第二表面上;其中,该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。
本发明所述的晶片封装体,该穿孔的口径沿着自该第二表面朝该第一表面的方向递增。
本发明所述的晶片封装体,至少部分的该穿孔不被该遮光层覆盖。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层完全不覆盖该穿孔。
本发明所述的晶片封装体,还包括一导电垫,形成于该基底之中,该导电垫电性连接该光电元件及该导电层。
本发明所述的晶片封装体,该穿孔露出该导电垫。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层覆盖部分的该导电垫。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层完全不覆盖该导电垫。
本发明所述的晶片封装体,还包括一第二穿基底导电结构,其中该遮光层包括一凸出部,该凸出部位于该穿基底导电结构与该第二穿基底导电结构之间。
本发明所述的晶片封装体,该光电元件包括一影像感测元件或一发光元件。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层与该导电凸块之间间隔有一间距,该间距为该导电凸块的宽度的5%至8%之间。
本发明所述的晶片封装体,还包括一微透镜阵列,设置于该光电元件之上。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层包括一金属材料、一高分子材料或前述的组合。
本发明所述的晶片封装体,该导电凸块包括一焊球。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层的最接近该保护层的该开口的一侧端不与该开口的侧壁共平面。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层覆盖该光电元件。
本发明所述的晶片封装体,该保护层的该开口之中不具有该遮光层。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层不直接接触该导电层。
本发明所述的晶片封装体,该穿孔位于该基底的边缘区。
本发明的晶片封装体通过遮光层而阻挡及/或吸收外界的光线,使晶片封装体的运作更为顺利,且本发明的晶片封装体的遮光层不与导电凸块接触,可进一步提高良率,避免短路的情形的发生。
附图说明
图1A至图1C显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
图2显示本发明一实施例中的晶片封装体的剖面图。
图3显示本发明一实施例中的晶片封装体的剖面图。
图4A至图4D显示根据本发明多个实施例的晶片封装体于基底的表面的俯视图。
附图中符号的简单说明如下:
100:基底 102:光电元件
102a:微透镜阵列 104:导电垫
106:穿孔 108:色缘层
110:导电层 112:保护层
113:开口 113a:侧壁
114:遮光层 114’:投影
114a:凸出部 115:侧端
116:导电凸块 d:间距
W:宽度。
具体实施方式
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